贸泽电子（Mouser Electronics）与ADI和Bourns合作出版最新的电子书，探索氮化??（GaN）技术在追求效率、效能和永续性的过程中所面对的挑战和优势所在。

贸泽电子（Mouser Electronics）与ADI和Bourns合作出版电子书，探索以氮化??（GaN）技术为基础在电力电子装置的优势。

《10 Experts Discuss Gallium Nitride Technology》（10位专家谈论氮化??技术）探讨GaN技术如何彻底改变电力电子技术，达到比矽更高的效率、更快的开关速度和更大的功率密度。GaN技术的优势对於从汽车和工业应用，再到消费性电子产品和再生能源能等各个产业皆能产生深远的影响。新电子书提供来自ADI、Bourns和其他公司的专家见解，一探GaN的优势、设计人员首次使用GaN可能面临的挑战，以及从矽移转到GaN的最隹方法。电子书中也重点介绍ADI和Bourns的相关产品，包括GaN控制器和驱动器、功率电感器等。

ADI LTC7890/1同步降压控制器是一款高效能的降压DC-DC开关稳压控制器，透过最高100V的输入电压驱动N通道同步GaN场效电晶体（FET）功率级。与矽金属氧化物半导体解决方案相比，这些装置简化了设计，而且不需要保护二极体或额外的外部元件。LT8418是一款100V半桥GaN驱动器，整合顶部和底部驱动器级、驱动器逻辑控制和保护功能。LT8418提供分离闸极驱动器来调整GaN FET的开启和关闭??转率，因此能抑制振铃并最隹化EMI效能。

由於GaN技术的高开关频率，因此需要仔细选择被动元件。Bourns提供针对GaN的较高频率最隹化的进阶磁性元件，包括PQ扁平功率电感器、CWP3230A晶片电感器和TLVR1105T TLVR电感器，这些装置具有低电感、高额定电流和低辐射的屏蔽结构。

Bourns HCTSM150102HL变压器提供强化的隔离能力、15 mm最小间隙/漏电距离，和7.64 kV（2秒）的耐电压，使其能提供更高等级的高电压危险隔离能力。此变压器采用铁氧体环形磁芯结构，具有优异的耦合系数和效率。