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TI推出最新GaN技术 携手台达打造高效能伺服器电源供应器
 

【CTIMES/SmartAuto 籃貫銘 报导】   2021年09月26日 星期日

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德州仪器(TI)宣布,其氮化??(GaN)技术和 C2000 即时微控制器(MCU),辅以台达的电力电子核心技术,为资料中心开发设计高效、高功率的企业用伺服器电源供应器(PSU)。与采用传统架构的企业伺服器电源供应器相比,台达研发的伺服器电源供应器功率密度可提高80%,效率提升1%。

台达为全球客户提供电源管理与散热解决方案,同时也是AC-DC、DC-DC与DC-AC电源系统的领导厂商,产品应用范围广泛,包括资通讯、电动车充电与工业电源等。TI多年来致力於半导体和电脑相关技术,投入氮化??技术的开发、应用已长达十年,更提供 C2000 微控制器等即时控制解决方案,是台达长期合作的重要夥伴。此次TI利用创新的半导体制程制造矽基氮化??(GaN-on-silicon)技术与积体电路,协助台达等公司打造差异化应用,提升全球资料中心电源效率。

德州仪器高压电源事业部??总裁Steve Lambouses表示,德州仪器致力於透过半导体技术使电子产品的价格更加实惠,让世界更加美好。德仪氮化??技术将效率更高、体积更小且更为可靠的解决方案推升至了全新境界。除了投资技术发展之外,TI 对内更是强化制造生产以便为台达以及其他客户等提供支援,同时也能够迅速扩展氮化??等新兴技术的规模。」

台达电源及系统事业群(PSBG)??总裁暨总经理尹??博表示,台达多年来专注於提供高能源效率的产品与解决方案,与夥伴及客户密切合作,以降低碳足迹。这也促使长期与 TI 等业界领先公司合作,持续研发并应用新一代技术。氮化??已突破研发门槛,从未来科技转变为目前可采用的技术,将为电源供应系统带来新的设计方式,并提高产品效能和功率,尤其适合伺服器电源供应器。目标是使能源效率超越 98%、功率密度突破每立方英寸 100 瓦特(W/inch3)。

整合氮化??积体电路可提升效率、功率密度和系统可靠性

· 在高压、高功率工业电源应用方面,TI 的氮化??场效电晶体(FET)整合了快速切换驱动器,以及内部保护与温度感测功能,可在有限电路板空间内达成更高效能表现。。

· 积体电路均通过4 千万小时以上的可靠性测试,及超过 5 百万千瓦小时的功率转换测试,为工程师提供严谨可靠性数据,并可以氮化??打造体积更小、重量更轻、效率更高的电源系统。

· TI C2000T 即时微控制器与氮化??电源解决方案搭配使用可提供多重优势,例如复杂与时效性处理能力、精确控制、软体和周边产品可扩充性等。此外,这些微控制器可支援不同电源设计拓扑与高切换频率,尽可能提升电源效率,彻底发挥氮化??伺服器电源解决方案的潜力。

TI和台达将於2021年9月27日至29日的TI Live! Tech Exchange共同举办主题为〈GaN技术的影响及其对未来工业设计的意义〉的线上技术交流研讨会。活动中,TI 专家将展开一系列的专题演讲、论坛、技术会议与产品演示,讨论电源管理、车用半导体、即时控制、视觉感测与设计趋势等内容。欲知详细资讯,请叁阅网站ti.com/techexchange。

關鍵字: GaN  TI 
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