不受欧美市场制裁影响，韩国DRAM厂Hynix与意法半导体（ST）合作，共同宣布携手投入NAND快闪记忆体市场。根据协议，Hynix与ST将共同开发全系列NAND产品，预计2003年下半年推出512MB的产品，并由双方共同销售产品。

ST的快闪记忆体部总经理Mario Licciardello表示，ST的重心一直在NOR快闪记忆体，现在ST决定将快闪记忆架构扩充到NAND设备，准备以低成本、高密度的资料储存市场迈进。

另外，日商东芝推出适用于数位相机、PDA和手机等的2Gb、单片NAND快闪记忆体样品，该产品是由东芝与SanDisk联合开发，采用0.13um制程制造。东芝还宣布于今​​年将推出4Gb的NAND快闪记忆体。