M31科技今日宣布，其7奈米制程快闪记忆体接囗ONFI-v5.1 I/O IP已完成矽验证，支援最高速达3.2GB/s，同时内部已着手开发5奈米ONFI 5.1 IP与3奈米ONFI 6.0 IP，并且已获美国一线大厂采用，积极布局人工智慧与边缘运算应用的大数据存储市场。

M31指出，SSD正在取代传统机械硬碟(HDD)成为主流的存储媒介。主控晶片与闪存晶片为SSD的核心，为大幅度提高数据存储和传输的效率，现行主流SSD皆采用PCIe Gen4介面，更者，高端SSD也开始使用PCIe Gen5介面，整体介面传输速度的大幅提升，使相应的ONFI介面速度表现成为存储晶片的关键性要素。

M31强调，遵循国际开放式 NAND 闪存接囗 (Open NAND Flash Interface) 的介面规范，紧跟速度推升趋势与最新先进制程技术，密切开发由ONFI 5.0的2.4GB/s提升到ONFI 6.0的4.8GB/s的频宽技术，并提供制程节点由55奈米至3奈米全面性的ONFI矽智财解决方案，满足市场对於高性能、高可靠性及低成本储存的晶片设计需求，并依客户需求客制化所需要的功能。

此外，M31不仅仅提供单一I/O，也针对高速高效能ONFI I/O所产生资料汇流排上的负载和损耗问题，M31更能进一步提供包含序列排序规划(pad sequence arrangement)，缓冲器规划(bumper arrangement)，基板绕线建议(substrate routing suggestion)等帮助客户成功设计的完整解决方案。