昨日南亚与德商英飞凌（Infineon）举办合资DRAM厂华亚半导体12吋晶圆厂动土典礼，并且对外表示，预计2004年下半年该厂完成建置，估计每月产能将达2万片，到时将以0.11微米制程量产512Mb DRAM，2006可望达5万片产能水准。华亚半导体经营团队则延后公布，原预计12月初将可揭晓的经营团队，目前暂由王永庆担任董事长，总经理由南亚总经理连日昌兼任。

南亚初估明年资本支出将达8亿美元，其中投资在华亚半导体部份占了85％，为了筹措新厂所需资金，南亚科办理的3亿5000万股、每股溢价22元的增资案，将于今日完成认股与缴款，预估共可筹得77亿元资金，其余资金则将在明年透过发行海外存托凭证（GDR）方式取得。

Infineon表示，在成长快速的亚洲市场上成立策略联盟，使Infineon成功地延伸其在全球DRAM市场的优势，并扩展为全球三大最佳的半导体制造厂之一的市场地位。此种提高产能的经济成本合作方式，将不仅帮助Infineon开拓新的事业领域，且使Infineon在全球DRAM市场的市占率超过20%以上。

2002年前三季DRAM价格出现暴起暴落，而使国内DRAM厂获利能力受到严重冲击，南亚科累计前三季税后盈余为7亿9800万元，仅达成年度获利目标45亿1200万元的17.68％。