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AI重构2026年科技新格局 加强渗透基础建设转型
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2025年11月30日 星期日

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迎接全球AI科技日新月异,加速产业转型步伐,也带动用电需求成长,更加深泡沫疑虑。针对TrendForce近日整理2026年科技产业重构新格局,也特别聚焦晶片散热、液冷伺服器与储能系统等发展,将加强渗透并推进AI基础建设转型。

TrendForce近日整理2026年科技产业重构新格局,也特别聚焦晶片散热、液冷伺服器与储能系统等发展
TrendForce近日整理2026年科技产业重构新格局,也特别聚焦晶片散热、液冷伺服器与储能系统等发展

由於2026年受惠於北美大型CSPs提高资本支出,以及各国主权云兴起,对AI资料中心建置需求旺盛,预估全球AI伺服器出货年增率将逾20%,刺激AI晶片逐鹿战升级。算力提升将促成单晶片热设计功耗(TDP)从NVIDIA H100、H200的700W,上升至B200、B300的1,000W以上或更高。

伺服器机柜亦须以液冷散热系统对应高密度热通量需求,推升2026年AI晶片液冷渗透率达47%、Microsoft亦提出新一代晶片封装层级的微流体冷却技术。整体而言,AI伺服器短中期市场仍以水冷板液冷为主,CDU架构将自L2A(Liquid-to-Air)转向L2L(Liquid-to-Liquid)设计,长期则朝更精细化的晶片级散热演进。

加上AI资料中心正经历彻底的电力基础设施变革,伺服器机柜功率从千瓦级(kW)迅速攀升至兆瓦级(MW),供电模式正转向800V HVDC(高压直流)架构,以最大限度地提高效率和可靠性,大幅减少铜缆用量,并支援更紧凑的系统设计。

料将推升第三代半导体SiC/GaN市场需求,正是实现下一代固态变压器(SST)技术转型的关键,多家半导体供应商已宣布加入NVIDIA的800V HVDC计画,SiC/GaN在资料中心供电的渗透率将在2026年上升至17%、2030年有??突破30%。

TrendForce认为,因AI资料中心朝向超大规模集群化发展,其负载波动大,严格要求电力稳定度,促使储能系统由「应急备电」转为「AI资料中心的能量核心」,需求将迎爆发式成长。预估未来5年内,AI资料中心储能除了现有的短时UPS备电和电能品质改善,2~4小时的中长时储能系统占比将迅速提升,以同时满足备电、套利和电网服务需求。

部署方式也将从资料中心级的集中式BESS (battery energy storage system),逐步向机柜级或丛集级的分散式BESS渗透,如电池备用单元,以提供更快的瞬时响应。

预期北美将成为全球最大AI资料中心储能市场,由超大规模云端厂商主导。中国「东数西算」策略将推动资料中心向绿电丰富的西部迁移,AI资料中心+储能将成为西部大型基地的标准配备。预期全球AI资料中心储能新增容量将从2024年的15.7GWh,激增至2030年的216.8GWh,复合年平均成长率达46.1%。

關鍵字: 散热  TrendForce 
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