旺宏电子总经理卢志远博士近日获选为「世界科学院」（The World Academy of Sciences；TWAS）2020年新任院士，以表彰他在半导体物理与元件技术的卓越贡献。

卢志远博士获选TWAS「工程科学」(Engineering Sciences)学门院士。TWAS认为卢志远博士在半导体元件物理，积体电路制程开发及整合技术方面皆有开创性的科学创新及杰出的技术贡献。尤其，卢博士更是一位创新的高科技企业家和半导体行业的杰出领导者。

卢志远博士2014年即曾获得TWAS推选为「工程科学」奖得主。他长期投身於科技创新及尖端研发，不但是位杰出科研专家，且又能具体实践应用。早於1980年代中期，他於美国AT&T Bell Labs领导研究计画时，即曾研发高达600V之BCDMOS IC技术，为当时业界最高伏的技术。

1987年，他也是全球首位於IEDM发表技术论文探讨DRAM最诡谲的可靠性问题，促使业界大幅提升DRAM可靠度，之後领导研发0.6微米CMOS第六代Twin-tub制程技术，部份技术理论迄今仍被广泛引用，带动半导体产业今日的蓬勃发展。

1989年，卢博士受邀回台出任工研院电子所??所长，带领工研院团队执行台湾最大科专计画━次微米计画，让台湾具备八寸晶圆产制能力，成功将台湾推向世界高科技舞台。次微米计画之後衍生成立世界先进公司，成为催化台湾记忆体产业的重要推手。

1999年，卢博士加入旺宏电子，专注非挥发性记忆体前瞻技术研发，带领旺宏研发团队持续在国际重要学术会议如IEDM、ISSCC、VLSI等发表多项次世代记忆体的先驱技术。而他创办的欣铨科技，证实晶圆级测试为可行的商业模式，更成为尖端半导体生产过程中不可或缺的一环，也获得美国哈佛大学商学院(HBS)纳为推广教案。

卢志远博士浸润半导体界超过30年，积极钻研电子元件及材料科技，发表超过 500篇学术及技术论文，更拥有160馀项国际专利。由於对半导体界的贡献良多，卢博士获得许多国内外奖项及荣耀肯定，包括美国电机电子学会IEEE千禧杰出奖章、潘文渊文教基金会研究杰出奖、有科技研发工程师界奥斯卡奖之称的IEEE Frederik Philips Award及国家最高荣誉科学研究奖项总统科学奖等，更获得美国物理学会APS Fellow、IEEE Fellow、中华民国科技管理学会院士、工研院院士、中研院院士、台大杰出校友、交大名誉博士等荣衔。

TWAS成立於1983年，旨在协助发展中国家从事科学研究与开发应用，成员涵盖发展中国家之杰出科学家，今年十二月选出36位2020年新任院士，除了卢博士，中研院院长廖俊智也同时获选为院士。当选该科学院院士或获颁相关奖项，不仅代表学者个人的成就，更代表所属国家对於全球推展科学之持续关怀与付出。