比利时微电子研究中心（imec）今日受邀至国际光电工程学会（SPIE）美西光电展（Photonics West）举行讲座，同时也宣布其开发之氮化矽（SiN）波导技术与矽光子平台成功进行共整合，且无损高频宽主动元件的性能。此次成果是imec矽光子平台的重要升级，将波长选择元件与其它透过精准相位控制来实现的被动功能进行合成，满足资料通讯（datacom）、光达（LiDAR）等应用对光学收发器的需求。

利用imec开发的iSiPP矽光子平台制成的12寸晶圆。

将SiN用於矽光子IC能带来诸多好处：降低传输损耗、精准控制相位、低损耗光耦合、降低热学变异和提高功率等。为了提升矽基光学收发器的能源效率，导入高品质的SiN元件层至关重要。它们可以用来降低传输损耗，还能精准掌握元件厚度、折射率变异性等材料特性。这些结构利用低压化学气相沉积（LPCVD）技术制造，处於升温环境，所以必须避免矽材与诌材基线元件的性能耗损。

imec开发了iSiPP矽光子平台来解决这些元件整合方面的技术问题，现在也开放业界合作开发应用。透过改良制程的工程技术，imec有效降低了SiN微型环型共振器的波长变异性，与目前平台采用电浆辅助化学气相沉积（PECVD）技术制成的元件相差4倍以上，还不影响共整合的主动元件性能。

imec研发VP Philippe Absil表示：「我们很高兴这次成功推进了imec矽光子平台的大升级。利用SiN被动元件与主动式矽光子平台的共整合，我们就能提供合作夥伴更多的解决方案，他们现在可以考虑精简系统，整合矽光子晶片的主动功能与SiN被动功能。」