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Nexperia新款1200 V SiC 萧特基二极体适用於高功率密集基础设施
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2025年07月11日 星期五

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Nexperia宣布推出两款1200V、20A碳化矽(SiC)萧特基二极体PSC20120J与PSC20120L,专为高功率密集型基础设施设计,目标应用涵盖AI伺服器丛集、电信设备与太阳能逆变器等对能效要求极高的电源系统。

Nexperia 新款1200V SiC萧特基二极体强化AI伺服器与高功率应用效能转换
Nexperia 新款1200V SiC萧特基二极体强化AI伺服器与高功率应用效能转换

新产品采用具备零恢复时间与温度稳定性的先进设计,能提供优异的品质因数(Qc x Vf)与开关性能,即使在高电流与高速切换环境下也能保持稳定输出。其内部采用MPS(PiN萧特基)结构,具备高突波耐受力(IFSM),减少额外保护电路需求,进一步简化系统设计并降低成本。

封装方面,PSC20120J为表面贴装型D2PAK R2P(TO-263-2),PSC20120L则为通孔型TO247 R2P(TO-247-2),两者皆具备高热稳定性,适用於高达175。C的严苛高压工作环境。Nexperia此系列产品将成为实现AI与高能耗系统高效能电源转换的关键元件,助力工程师打造更小型、高效与可靠的电力设计。

關鍵字: 萧特基二极管  SiC 
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