Kioxia Corporation（鎧俠）與SanDisk近日共同宣布，在3D快閃記憶體技術上取得重大突破，推出業界領先的技術，不僅實現了4.8Gb/s的NAND介面速度，更在功耗和密度方面表現卓越。

這項創新技術於ISSCC 2025（國際固態電路研討會）上亮相，結合了雙方革命性的CBA（CMOS直接鍵合到陣列）技術，採用最新的Toggle DDR6.0 NAND快閃記憶體介面標準，並利用SCA（獨立命令位址）協議和PI-LTT（電源隔離低端接端）技術，進一步降低功耗。

相較於目前量產的第八代3D快閃記憶體，這項技術預計可將NAND介面速度提升33%，達到4.8Gb/s。同時，資料輸入/輸出的功耗也得到顯著改善，輸入功耗降低10%，輸出功耗更降低了34%，在高效能和低功耗之間取得了平衡。展望第十代3D快閃記憶體，兩家公司透露，透過增加記憶體層數至332層，並優化平面密度，位元密度將提高59%。

Kioxia和SanDisk也分享了即將推出的第九代3D快閃記憶體的計畫。借助其獨特的CBA技術，兩家公司能夠將新的CMOS技術與現有的記憶體單元技術相結合，提供具備成本效益、高效能和低功耗的產品。雙方將持續致力於開發尖端的快閃記憶體技術，提供客製化的解決方案，滿足客戶需求，並為數位社會的發展做出貢獻。