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美國大學正著手開發使用絕緣體的記憶體技術
 

【CTIMES/SmartAuto 籃貫銘 報導】   2008年12月01日 星期一

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外電消息報導,美國約翰霍普金斯大學的科學家正在研究一種新的光儲存技術,透過鐳射光照射絕緣體內部的激子(exciton)進行資料編碼。若實驗成功,將可以利用鐳射將資料儲存在絕緣體之中。

美國約翰霍普金斯大學電子電腦工程系教授Alexander Kaplan表示,目前該技術仍處在理論階段,必須透過實驗進行驗證。但如果理論正確,那麼就可以解決元器件的發熱問題,並將半導體元件的尺寸做到更小。

Kaplan指出,受雷射光束照射所形成的特定原子陣列、分子或量子點,將可產生不受傳統Lorentz-Lorenz理論限制的奈米層。但從資訊的角度來看,Lorentz-Lorenz理論並不允許絕緣體內部原子的局部狀態改變。但他聲稱,其研究小組已找到了一種制定絕緣體內部奈米結構的方法,從而可實現利用絕緣體儲存資料和感測儲存狀態。

但這個記憶體技術有個缺點,便是僅能提供動態存取的功能,一旦關掉鐳射源,則原子格內的原子變回基態,資料也就消失。但Kaplan 表示,即便如此,絕緣體記憶體也比目前的隨機存取記憶體的性能還要優異。

關鍵字: 隨機存取記憶體  美國約翰霍普金斯大學  Alexander Kaplan 
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