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【CTIMES/SmartAuto 报导】   2005年02月01日 星期二

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拥有80.4%股份的Vishay Intertechnology,Inc.子公司Siliconix incorporated宣布推出四款新型高速半桥式N信道MOSFET驱动器IC,这些器件主要用于高频率、高电流、单相及多相直流到直流开关电源,它还包括一个具有面向无刷电机控制应用所需制动功能的驱动器。

新型SiP41103、SiP41104及SiP41105双信道MOSFET驱动器可驱动半桥式配置中的较低和较高MOSFET,它们主要用于电源电压范围介于4.5V~50V的系统。这三款驱动器可提供高达1A的输出电流,其开关频率为250kHz~1MHz,驱动器阻抗低于1奥姆,因此可降低电容器和电感器的尺寸。新型SiP42101配有面向电机驱动应用的制动功能,该器件以50kHz的频率运行。

该系列的先断后接逻辑可防止外部MOSFET和自举二极管中的穿透电流,因此能够驱动可减少外部组件数目的N信道高端MOSFET。关断/控制引脚主要用于启动这些驱动器,而SiP41103和SiP41105上额外配有同步启动引脚,可禁用低端或“同步整理器”MOSFET,从而以较轻电源负载最大程度地提高效率。

欠压锁定功能可防止在电源电压(在VDD时)低于规定值时驱动MOSFET栅极,从而确保仅在存在足够的栅极电压时才打开输出MOSFET。这些器件的关断静态电流低于5μA。

所有这四款新型MOSFET驱动器均采用标准及无铅(Pb)封装。SiP42101和SiP41103采用MLP33-10封装,而SiP41104采用SO-8封装,SiP41105采用TSSOP-16PowerPAK 封装。这些器件均在–40°C~+85°C的工业温度范围内工作,其应用包括高电流同步降压转换器、多相直流到直流转换器、异步到同步应用,以及计算机直流到直流转换器。

關鍵字: 电源组件 
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