为了满足移动设备制造商多样化和不断变化，必须解决电源管理方面的需求，Magnachip半导体发布两款第七代 MXT 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)，内置超短通道技术可用於智慧型手机中的电池保护电路模组。

Magnachip半导体发布两款第七代 MXT MOSFET，内置超短通道技术可用於智慧型手机中的电池保护电路模组。

Super-Short Channel是Magnachip的最新设计技术，可缩短源极和漏极之间的沟道长度，从而显着降低RDS(on)和导通状态下的导通损耗。 Magnachip率先将此技术应用於新发布的12V MOSFET（MDWC12D028ERH）和24V MOSFET（MDWC24D031ERH）。

得益於超短通道技术，这些新型 MOSFET 的尺寸减小20%，而 MDWC12D028ERH 和 MDWC24D031ERH 的 RDS(on) 与之前的版本相比分别降低 40% 和 24%。 凭藉这些增强的产品功能，电池充电或放电时的功率损耗减少，并且可以保持较低的工作温度以实现快速电池充电。

Magnachip 计划在 2023 年下半年发布用於智慧手表和耳机等可穿戴设备的小型电池的具有高功率效率的紧凑型超短通道 MXT MOSFET。