横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供货商意法半导体推出了首款采用新封装技术的MDmesh V 超接面（Super-Junction）MOSFET，新封装可提升家用电器、电视机、个人计算机、电信设备和服务器开关电源的功率电路能效。

高能效功率产品 BigPic:600x550

新的TO247-4 4针脚封装提供一个开关控制专用的直接源连接（direct source connection），而传统封装是开关和电源共享一个针脚。增加的针脚能够提高开关能效，降低开关损耗，并支持更高的开关频率，降低电源尺寸。

该封装是意法半导体与英飞凌（Infineon）的合作开发成果，英飞凌也推出了自有的超接面组件，为客户选购超接面MOSFET时提供了更大的灵活性。意法半导体的功率晶体管产品部营销总监Maurizio Giudice表示：「TO247-4具有很高的成本效益，用于替代标准TO-247 组件时，只需对印刷电路板布局略加修改，从而简化了该组件在电源系统的应用。采用这一封装的新MDmesh组件可提高工作能效，实现更加节能环保的终端设备。」

TO247-4封装整合一个创新且实现了开尔文接法（Kelvin connection）的内部结构，这个连接旁路了主电源连接的共源电感，可消除高达60%的开关损耗，允许设计人员使用更高的开关频率和更小的滤波组件。新封装结合意法半导体的MDmesh超接面技术，实现了最高的单位硅面积导电效率，并取得了最高的总体节能效果。

今日所推出推出的产品是STW57N65M5-4。作为首款TO247-4封装的MDmesh产品，STW57N65M5-4可提高主动功率因子校正（PFC，Power-Factor Correction）电路和全桥或半桥功率转换器的能效，适用于各种消费性电子和工业电子产品。

TO247-4封?的STW57N65M5-4的更多特性:

1. 高抗噪性，降低电磁干扰（EMI，Electro-Magnetic Interference）敏感度

2. 降低额定电压，提高安全系数

3. 高耐dv/dt能力，提高可靠性

4. 100%累崩测试（avalanche tested），可用于耐用性设计