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英飞凌OptiMOSTOLx系列推出全新封装 可强化 TCoB 耐用性
 

【CTIMES/SmartAuto 报导】   2021年06月15日 星期二

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英飞凌科技借助创新的 TO-Leadless (TOLL) 封装,在 OptiMOS 功率 MOSFET TOLx 系列推出两款新封装:TOLG (配备鸥翼型导线的 TO 导线) 以及 TOLT (TO 导线顶部散热)。 TOLx 系列皆具备极低的 RDS(on) 与超过 300 A 的高额定电流,可提升高功率密度设计的系统效率。

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TOLG 封装结合了 TOLL 与 D2PAK 7 针脚封装的最佳功能,与 TOLL 共用相同的 10 x 11 mm2 基底面与电气性能,并增加了与 D2PAK 7 针脚相容的弹性。 TOLG 的主要优势在采用铝绝缘金属基板 (Al-IMS) 的设计时特别明显。在这些设计中,热扩张系数 (CTE) (说明材料在温度变化时的形状变化趋势) 比铜 IMS 和 FR4 电路板更高。

随着时间流逝,电路板上的温度循环 (TCoB) 会造成封装和 PCB 之间的焊接点出现裂缝。透过鸥翼型导线的灵活性,TOLG 展现出色的焊接点耐用性,在反覆发生温度循环的应用中大幅增加了产品的可靠性。全新封装与 IPC-9701 标准要求相比,能够展现两倍 TCoB 性能。

TOLT 封装针对优异的热效能进行最佳化。此封装在结构方面采用上下颠倒的导线,将裸露的金属置于顶端,且每一面都有多条鸥翼型导线,可提供高电流承载的汲极与源极连接。在导线上下颠倒的框架中,热量会从裸露的金属顶端穿过绝缘材料,直接传到散热片。与 TOLL 底部冷却封装相比,TOLT 的 RthJA 改善了 20%,RthJC 则改善了 50%。这些规格可降低系统物料成本,特别是散热片。此外,由于现在可将组件安装在 MOSFET 的底部,因此 TOLT 中的 OptiMOS 能够减少 PCB 空间。

OptiMOS TOLx 系列的OptiMOS 3 与 5 技术将推出各种电压等级的产品。 TOLG 将在 2021 年第四季提供 60 V 至 250 V 的广泛产品组合,包括同级最佳和最佳价格性能比的产品。 TOLT 目前提供 80 V 和 100 V 电压等级的产品。此外,还提供评估电源板,并采用 TOLG 封装的 100 V OptiMOS 5 功率 MOSFET (IPTG014N10M5)。

關鍵字: Infineon 
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