近年来，电动汽车的进展推动对於适应汽车设备功耗增加的组件的需求。东芝电子推出汽车40V N沟道功率 MOSFETXPQR3004PB和 XPQ1R004PB，它们使用新的 L-TOGL（大型晶体管外形鸥翼引线）封装，并且具有高漏极电流额定值和低导通电阻，今日开始供货。

东芝发布采用新型高散热封装的汽车 40V N 沟道功率 MOSFET，能够支持汽车设备的更大电流。

新品采用东芝全新的L-TOGL封装，支持大电流、低电阻、高散热。产品没有内部柱结构，通过铜夹将源极连接部分和外部引线统一起来。源极引线的多引脚结构将封装电阻降低到现有 TO-220SM（W）封装的 30% 左右，从而将 XPQR3004PB 的漏极电流（DC）额定值提高到 400A。使用厚铜框架已将 XPQR3004PB 中的通道到外壳热阻抗大幅降低，这些特性有助於更大的电流和更低的汽车设备损耗。

凭藉新的封装技术，新产品将简化散热设计，减少半导体继电器和需要大电流的集成启动发电机的逆变器等应用中所需的MOSFET数量，并有助於减小设备尺寸。由於汽车设备在不同的温度环境中使用，表面安装中焊点的可靠性是关键考虑因素之一。新产品采用鸥翼式引线，可降低安装应力，提高焊点的可靠性。

此款MOSFET适合於汽车设备：逆变器、半导体继电器、负载开关、电机驱动器等应用。