瑞萨电子宣布将推出12款RMLV0416E、RMLV0414E及RMLV0408E系列先进低功率SRAM (Advanced Lower-Power(LP) SRAM)新产品，为瑞萨的旗舰SRAM (静态随机存取内存)。新款内存装置具有4 Mb密度，并采用电路线宽仅110 nm(奈米)的精密制程技术。

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上述即将推出之SRAM为全新系列的先进低功率SRAM，并提供与瑞萨现有采用150 nm制程之SRAM产品相同的高可靠性，包括无软件错误及无闩锁。这些产品可在标准电流2 μA(微安培)、25°C下达到低功率运作，适合用于以电池备份之装置中的数据储存。

瑞萨的低功率SRAM已在多种领域获得广泛的采用，包括工业、办公室、通讯、汽车及消费性产品，该公司此类产品在2012年并拥有全球第一的市占率。近来由于制造商系统已达到更高的效能与更先进的功能，SRAM已成为提升整体系统可靠性的重要因素。特别是用于储存重要信息如系统程序与账单数据的SRAM，必须提供高水平的可靠性，因此焦点也特别放在降低因α辐射与宇宙中子辐射造成之软件错误的方法。

在瑞萨的先进低功率SRAM架构中，内存单元中的每个内存节点皆附加实体电容器，因此对于软件错误具有极高的耐受性。在发生软件错误之后，一般的处理方法是在SRAM或制造商系统中纳入内部错误修正码(ECC)电路。但是此方法有其限制，在一些情况下，ECC的效能可能无法处理影响多个位的错误。相较之下，先进低功率SRAM采用结构性方法以避免软件本身发生错误。从目前大量生产之150 nm先进LP SRAM的系统软件错误评估结果而言，实际上这些产品称得上是无软件错误。

另外，SRAM单元负载晶体管(P信道)为多晶硅TFT，且堆栈于硅基板上的N信道MOS晶体管顶端。因此，只有N信道晶体管会形成于硅基本之下。如此可确保内存区域中不会形成任何寄生闸流体，而且理论上将不可能产生闩锁。

这些功能使先进低功率SRAM所达到的可靠性远高于采用传统内存单元结构的全CMOS类型产品。对于非常重视高水平可靠性的应用而言，例如工厂自动化设备、测量装置、部署于智能电网的设备以及运输系统等，先进低功率SRAM将有助于进一步提高这类应用的效能与可靠性。

此外，先进低功率SRAM结合SRAM多晶硅TFT堆栈技术与堆栈式电容器技术以缩小单元尺寸。例如，110 nm先进低功率SRAM的单元大小相当于采用65 nm制程的全CMOS SRAM。

除上述产品外，瑞萨也将计划加入8 Mb与64 Mb的110 nm产品以强化其110 nm SRAM产品阵容。