全球氮化鎵（GaN）功率轉換產品供應商Transphorm 發佈一款高性能、低成本的驅動器解決方案。這款設計方案針對中低功率的應用，適用於LED照明、充電、微型逆變器、UPS和電競電腦，強化公司在此30億美元電力市場客戶的價值主張。

不同於同類競爭的 e-mode GaN 解決方案需要採用定制驅動器或柵極保護器件的電平移位元電路，Transphorm 的 SuperGaN FET由於可以與市售的驅動器搭配使用，更易於驅動。新款解決方案採用高速、非隔離式、高電壓半橋柵極驅動器，在不影響 GaN FET 或系統性能的情況下，進而降低了系統總成本。

Transphorm業務發展和市場行銷高級副總裁Philip Zuk表示：「能夠根據需要來選定驅動器，對客戶來說是一個非常重要的優勢。客戶可以為不同性能優勢權重的設計挑選相應的驅動，從而更好地控制電力系統的成本。這對價格敏感的終端市場尤為重要。Transphorm 的GaN能夠提供更高性能，採用我們的氮化鎵器件，客戶可以根據最終結果來挑選BOM，從而以極佳的成本效益實現所需的性能。」

電源適配器、電竟筆記型電腦充電器、LED照明、以及兩輪車和三輪車充電等中低功率應用對價格敏感，這些產品中的電源系統通常不需要類似安全隔離這樣的先進功能，使用高階的驅動器可能導致BOM成本不必要升高。

該半橋柵極驅動器採用 Transphorm 的 650 V、72 mΩ PQFN88 封裝器件 TP65H070LSG 進行測試。可用於橋式拓撲結構，如諧振半橋、圖騰柱 PFC、正弦波逆變器或有源箝位元反激式電路。

測試結果顯示，無論是否使用散熱器或強制空氣進行冷卻，該低成本的驅動解決方案在低於/等於150kHz 的開關頻率下均運行良好。此解決方案最終在選定的配置中實現了接近 99% 的效率。