國際整流器（International Rectifier，IR）推出一系列新型HEXFET功率MOSFET，當中包括能夠提供最低導通電阻（RDS(on)）的IRFH6200TRPbF。

IR推出採用PQFN封裝20V、25V及30V MOSFET

這些新功率MOSFET具備IR最先進的矽技術，亦是該公司首批採用5x6mm PQFN封裝，並配備經優化的銅鉗和焊接晶片的元件。IRFH6200TRPbF 20V元件提供的（RDS(on)），在4.5V Vgs下最高也只為1.2mΩ，有助手動工具等DC馬達驅動驅動應用顯著減低傳導損耗。

25V IRFH5250TRPbF和30V IRFH53xxTRPbF這兩款元件都是為DC開關應用，例如要求高電流承載能力和高效率的有源ORing及DC馬達驅動應用而設計。IRFH5250TRPbF具備極低的RDS(on)，最高只有1.15mΩ，且閘電荷（Qg）僅為52nC。至於IRFH5300TRPbF的RDS(on)則最高只有1.4mΩ，而Qg就有50nC。

如果設計採用IRFH6200TRPbF、IRFH5250TRPbF和IRFH53xxTRPbF元件，不單能夠擁有卓越的溫度性能，還可以在指定的功率損耗下，比現有的解決方案使用較少的零件，有助節省電路板空間及成本。

所有這些新元件都具備低溫度電阻（<0.5°C/W），兼且達到第一級濕度感應度（MSL1）業界標準。它們也不合鉛、溴化物和鹵素，符合電子產品有害物質管制規定（RoHS）。