罗门哈斯电子材料公司CMP技术事业部推出一种新型铜阻障层研磨液，专门设计来协助用户处理90nm和65nm技术节点下低介电质(Low-K)整合方案中的化学机械平坦化问题。新型LK393c4铜阻障层研磨液是与晶圆制造商密切配合下开发而成，与其它现有研磨液配方相比，其选择比和研磨速率可帮助用户将芯片产量和所有权成本提升25%到30%。

LK393c4阻障层研磨液是去年CMP技术事业部所推出之LK系列阻障层研磨液的最新产品。借着1比1的铜/低介电质选择性以及较高的TEOS（四乙烷氧硅化物）研磨速率，这种非选择性之碱性研磨液非常适用于先进低介电质整合方案。LK393c4阻障层研磨液使用户能够在其铜阻障层处理中维持铜研磨后所得平坦化结果。

LK393c4阻障层研磨液适用于专为铜阻障层用途而设计之软研磨垫和新一代的研磨垫，并可在低压力下提供下一代铜阻障层处理之CMP所需要的高研磨率。LK393c4阻障层研磨液目前正在进行90nm低介电质芯片的量产测试，并与逻辑芯片制造商、研发及产品开发人员就65nm技术进行测试。“我们设计了LK393c4阻障层研磨液来支持90nm和65nm两种整合方案，使用户能够更容易地在多种技术节点上延伸整合知识和应用。”CMP技术事业部研磨液技术副总裁Rich Baker说道︰“根据用户技术及个别处理的要求，我们创造最新研磨液为用户提供移除或者维持TEOS覆盖层的选择性”。