KLA-Tencor 6日推出推出MetriX 100，是一套针对产品晶圆上薄膜的成份与厚度提供独立的量测功能。在各种IC上，薄膜的成份和薄膜的厚度都会影响IC的功能与可靠度，MetriX 100具备量测这两种参数的能力，提供90奈米环境中生产在线式监测及开发65奈米以下的制程。MetriX 100采用一套多样化的电子束技术，搭配专利高分辨率x光侦测器与软件算法，提供精准度与一致性(误差分别低于1个百分比，1 sigma)。其功能组合让此套工具能支持各种应用-从制程研发及量测超薄型原子层沉积(Atomic Layer Deposition; ALD)阻障薄膜的参数，到监测制造过程中铜阻障/种晶与其它影响良率的重要组件层，如像氮氧化硅(SiON)逻辑闸电介质。MetriX 100 目前正在许多尖端IC厂进行第二阶段的测试。

KLA-Tencor副总裁兼薄膜与表面量测部门总经理Sergio Edelstein表示：「MetriX 100能协助客户将各种尚未进行量产测试的新材料成功地投产。在经过审慎的评估后，我们以电子束量测技术架构MetriX 100系统，因为它能因应未来在90奈米IC量产制程中监测薄膜成份的需求，且能继续延用至65奈米以下更先进的制程。」

传统的薄膜监测技术为破坏性，因缺少密度的判断能力，加上面临讯/噪比过高的问题，无法在多层薄膜堆栈中对单一薄膜进行厚度量测。更重要的是，这些旧技术都无法在制造过程中在产品晶圆判断量测薄膜的成份。

KLA-Tencor指出，MetriX 100的量测技术采用电子束能量分布的X光频谱(Energy Dispersive X-Ray)。

MetriX 100在90奈米制程的主要应用包括在各种多层薄膜堆栈上监测薄膜厚度与成份，例如像铜阻障层/种晶层、电化学电镀(Electro-Chemical Plating)铜薄膜、化学机械平坦化(Chemical Mechanical Planarization)铜薄膜、超薄型ALD阻障层与其它金属薄膜。在这种制程环境下的其它重要应用包括逻辑闸电介质的氮化物剂量的量测，应用于各种先进各种先进电浆制程。65奈米制程的新型应用包括磷化钨钴(CoWP)层、高介电系数逻辑闸电介质合成、超浅接点布植、氮化金属逻辑闸、以及超薄型多层磁性随机存取内存(Magnetic Random Access Memory; MRAM)堆栈。