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意法半导体发布新型工业设备和基础设施
 

【CTIMES/SmartAuto 报导】   2013年05月30日 星期四

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横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供货商意法半导体推出能够降低电信系统、运算系统、太阳能逆变器、工业自动化以及汽车电子等应用对环境影响的新一代高能效功率组件。

工业设备和基础设施 BigPic:600x346
工业设备和基础设施 BigPic:600x346

意法半导体全新STripFET VII DeepGATE MOSFET拥有目前市场销售的80V和100V功率晶体管中最高的导电效率,同时提高了开关效率。此外,新产品有助于简化设计,使用数量更少且封装更小的组件,可减少系统功耗和提高能效目标,从而降低了设备尺寸和成本。

强化的MOSFET闸极结构是意法半导体STripFET VII DeepGATE技术的重要突破,在降低组件通态电阻的同时还降低了内部电容和闸极电荷,进一步提高开关速度和效率。新产品的抗雪崩能力优异,使产品在可能损坏组件的恶劣条件中仍可正常工作,因此STripFET VII DeepGATE是汽车电子应用的最佳选择。

现可订购的STripFET VII DeepGATE样品或产品超过15种,包括STP270N8F7 80V组件和一系列100V组件,客户可选择TO-220、DPAK、PowerFLAT 5x6和2针脚或6针脚H2PAK封装。

意法半导体MOSFET和电压额定值:

STripFET VII DeepGATE是意法半导体强大的MOSFET系列产品的新成员,在各种应用使用的主要电压额定值下,提供业界领先的能效、功率容量和耐用性。STripFET VII DeepGATE技术特别适用于DC电压驱动的电气系统,如电信设备广泛使用的48VDC电压。80V或100V组件具有充足的安全余量,可承受在48V系统中常见的过电压浪涌。优异的可靠性让STripFET VII DeepGATE还可用于12V或24V汽车电子应用。

工业电源还需要像MDmesh 超接面技术一样的功率技术,因为此项技术在较高电压额定值时拥有十分优异的能效。600V或650V MDmesh组件为AC-DC电源、照明镇流器(ballast)和显示器提供适合的安全余量。意法半导体近期发布的全新高能效MDmesh产品系列以低闸电荷为特色,适用于谐振型功率转换器,如液晶电视电源(MDmesh II Low Qg)。

關鍵字: 工業設備和基礎設施  ST 
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