法国微电子研究机构CEA-Leti与意法半导体携手展示了一个基于28奈米超薄体以及下埋氧化层（UTBB，ultra-thin body buried-oxide）FD-SOI技术的超宽电压范围（UWVR，ultra-wide-voltage range）数字信号处理器（DSP，digital signal processor）。

该组件由意法半导体采用28奈米超薄体以及下埋氧化层的完全空乏型硅绝缘层金氧半晶体管组件（fully-depleted silicon-on-insulator，FD-SOI）制程，基底电压（body-bias-voltage）调压范围0V至+2V，可降低电路最低工作电压，在400mV时支持460MHz时钟频率（clock-frequency）。

透过整合双方的设计技术，展品取得了超宽的电压范围、更高能效和空前的电压效率和频率效率。意法半导体和Leti开发并优化了0.275V－1.2V标准单元库：透过利用非重迭功率－性能特性，取得了理想的实现成果。在优化单元中，快速脉波触发型正反器（fast pulse-triggered flip-flops）是针对低压可变性容限设计。

此外，芯片内部时序余裕监视器（timing-margin monitors）动态调整时钟频率，使其为最大工作频率的百分之几，时序调整与电源电压值、基底电压值（body-bias-voltage value）、温度和制程无关。因此，即便在0.4V时，该数字信号处理器工作频率仍可提高9倍。

意法半导体设计支持服务部执行副总裁Philippe Magarshack表示：「超薄体以及下埋氧化层FD-SOI技术是意法半导体的速度更快、散热更小、更简单的解决方案，在性能和节能方面取得巨大进步，同时尽量减少了对现有设计和制造方法的调整和改变。本次展出的数字信号处理器证明，FD-SOI在如何使用能效更高的直至10奈米 的芯片设计更好的可携式电池供电产品方面开创出一条新路。」

Leti部门副总裁暨设计和嵌入式系统平台业务主管Thierry Collette表示：「开发能够充分发挥技术性能和能效优势的先进设计方法，然后再利用这些方法设计最终适用于物联网终端产品的专用组件，作为技术创新与上游工业之间的桥梁，Leti在这个过程中扮演着重要角色。」

于2014年2月12日举办的ISSCC第27届「Energy-Efficient Digital Circuits」研讨会上，Leti和意法半导体宣读了合着论文「A 460MHz at 397mV, 2.6GHz at 1.3V, 32b VLIW DSP, Embedding Fmax Tracking」，并同时向与会者展示相关产品套件。