Diodes公司推出了新型高压超级势垒整流器 (SBR) 系列中的第一款组件SBR10U200P5。该系列采用专利且高热效和小巧的PowerDI5封装，具有完善的低热阻效能，使SBR10U200P5能够以比原本小40%的PCB面积实现双倍的功率密度。

BR10U200P5正在申请专利中的封装结构，能够在紧凑的小尺寸封装内，实现更高的功率耗散和浪涌效能，达到摄氏一百七十五度的最大额定结温；额定雪崩 (Avalanche) 也比采用Dpak封装的Schottky二极管竞争方案高出50%。SBR10U200P5使缓冲电路 (Snubber Circuit) 可以被移离电源输出，有助电路设计人员减少产品成本和简化设计。SBR10U200P5提供各项先进功能，成为电源输出级中理想的输出二极管组件，又可以用作降压转换器电路中的钳位二极管 (Catch Diode)、马达驱动电路中的续流二极管 (Freewheeling Diode)，或升压二极管 (Boost Diode)。

Diodes 亚太区技术市场总监梁后权表示，SBR10U200P5体积极为细小的引线式10A整流器，额定电压高至200V，能够在10A额定电流和摄氏125度的结点温度下，提供低至0.7V的正向电压降 (VF)。该组件的离板封装高度只有1.1毫米，只有Dpak封装的一半，因此有助设计人员为终端应用中的小巧电源缩减电路面积及提高功率密度。应用范围包括笔记簿型计算机的电源配接器、万用充电器和电讯设备的电源等。