账号:
密码:
最新动态
产业快讯
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
英飞凌开始供应 EiceDRIVER SIL 和 EiceDRIVER Boost IGBT 驱动器
 

【CTIMES/SmartAuto 报导】   2013年05月27日 星期一

浏览人次:【2559】

英飞凌科技股份有限公司今日宣布推出新一代高电压 IGBT 闸极驱动器。全新推出的 EiceDRIVER SIL 和 EiceDRIVER Boost 驱动器系针对油电混合车和电动车 (HEV) 的主要变频器所设计,汽车系统供货商将能以更轻松且更符合成本效益的方式,设计遵循 ASIL C/D 功能安全规范 (ISO 26262) 的 HEV 传动子系统。全新 EiceDRIVER的目标应用为使用 400V、600V 和 1200V IGBT 最高达 120kW 的 HEV 变频器。EiceDRIVER SIL 和 EiceDRIVER Boost 预计于 2013 年 12 月开始提供各种初步样品。

EiceDRIVER SIL 和 EiceDRIVER Boost IGBT 驱动器 BigPic:600x433
EiceDRIVER SIL 和 EiceDRIVER Boost IGBT 驱动器 BigPic:600x433

符合 AECQ100 标准的 EiceDRIVER SIL (1EDI2001AS) 和 EiceDRIVER Boost (1EBN1001AE) 具备完整的功能组合,能驱动并控制汽车变频器内的 IGBT,具备电气隔离、双向信号传输、主动式短路支持和优化的 IGBT 切换功能。这两款装置采芯片形式设计,相较于目前的解决方案,能为 HEV 子系统省下多达 20% 的 PCB 面积。此外,EiceDRIVER SIL 和 EiceDRIVER Boost 内建的功能,相较于今日的解决方案可省下多达 60 个独立组件,也能降低整体系统成本。

英飞凌电动传动系统部门资深协理 Mark Muenzer 表示:「身为先进功率及汽车电子的全球领导者,英飞凌拥有最多样化的产品系列,适用于符合 ASIL C/D 设计的高效率传动应用。我们的电动行动力解决方案结合了功能安全及实惠价格,有助于大幅降低整体系统成本,同时改善效率。」

EiceDRIVER SIL 和 EiceDRIVER Boost

EiceDRIVER SIL (1EDI2001AS) 是高电压 IGBT 闸极驱动器,专为驱动电压高达 120kW 的汽车马达所设计。EiceDRIVER SIL 以英飞凌的「无芯变压器技术」(Coreless Transformer Technology) 为基础,提供低电压和高电压间的电气隔离。EiceDRIVER SIL 采用标准的 SPI 接口进行控制及诊断,传输速度高达 2 Mbaud。产品整合大量的安全相关功能,支持系统层级的功能安全规范,包括过电流监控、针对所有电源供应、振荡器、闸极讯号和输出阶段的运行时间监控。验证模式可从系统层级进行错误置入和弱启动等诊断方式。从高压侧来说,EiceDRIVER SIL 的尺寸能够驱动外部升压级,采用 PG-DSO-36 封装。

EiceDRIVER Boost (1EBN1001AE) 是单信道的 IGBT 升压器,完全兼容于 EiceDRIVER SIL。EiceDRIVER Boost 运用高效能的双极技术,能够取代采用独立装置的缓冲区阶段。EiceDRIVER Boost 使用热表现最佳的外露焊垫封装,可驱动并流入高达 15A 的峰值电流,因此适合汽车应用中绝大多数的变频器系统。EiceDRIVER Boost 具备主动式短路及主动式箝制等支持功能,提供外露焊垫的 PG-DSO-14 封装。

EiceDRIVER SIL (1EDI2001AS) 和 EiceDRIVER Boost (1EBN1001AE) 能够搭配英飞凌的 HybridPACK IGBT 模块使用,设计出最佳的油电混合车及电动车系统。

關鍵字: 驱动器  Infineon 
相关产品
英飞凌新款高性能微控制器AURIX TC4Dx可提供高速连接
英飞凌首款20 Gbps通用USB周边控制器提供高速连接效力
英飞凌推出EiceDRIVER 125 V高侧闸极驱动器 故障即时保护电池
英飞凌CoolSiC萧特基二极体2000 V直流母线电压最高可达1500 VDC
英飞凌针对汽车应用的识别和认证推出新型指纹感测晶片
  相关新闻
» 史丹佛教育科技峰会聚焦AI时代的学习体验
» 土耳其推出首台自制量子电脑 迈入量子运算国家行列
» COP29聚焦早期预警系统 数位科技成关键
» MIPS:RISC-V架构具备开放性与灵活性 满足汽车ADAS运算高度需求
» 应材於新加坡举行节能运算高峰会 推广先进封装创新合作模式
  相关文章
» 掌握石墨回收与替代 化解电池断链危机
» SiC MOSFET:意法半导体克服产业挑战的颠覆性技术
» 超越MEMS迎接真正挑战 意法半导体的边缘AI永续发展策略
» 光通讯成长态势明确 讯号完整性一测定江山
» 分众显示与其控制技术

刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8BP7BL2N6STACUKA
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw