账号:
密码:
最新动态
产业快讯
CTIMES / 文章 /
解决7奈米以上CMOS的接触电阻挑战
 

【作者: 愛美科】2019年06月11日 星期二

浏览人次:【9760】

文/爱美科;编译/丘燕

源/汲极接触电阻:先进矽CMOS的技术瓶颈

源极/汲极是电晶体的接触电极,用来引入与移除载子(carriers)于电晶体的传导通道。传统的CMOS技术,利用金属导体(MS)接触特性,在金属侧具有过渡金属矽化物(例如镍矽化物),得以形成源极/汲极的接触电子。另一种普遍方式,是利用自对准矽化物制程,称为SALICIDE,让矽化物覆盖在整个源/汲极表面。
...
...

另一名雇主 限られたニュース 文章閱讀限制 出版品優惠
一般訪客 10/ごとに 30 日間 5//ごとに 30 日間 付费下载
VIP会员 无限制 20/ごとに 30 日間 付费下载
相关文章
进入High-NA EUV微影时代
跨过半导体极限高墙 奈米片推动摩尔定律发展
2024年:见真章的一年
小晶片大事记:imec创办40周年回顾
运用能量产率模型 突破太阳能预测极限
comments powered by Disqus
相关讨论
  相关新闻
» 台欧携手 布拉格论剑 晶片创新技术论坛聚焦前瞻发展
» 巴斯夫与Fraunhofer光子微系统研究所共厌 合作研发半导体产业创新方案10年
» 工研院IEK眺??2025年半导体产业 受AI终端驱动产值达6兆元
» ASM携手清大设计半导体制程模拟实验 亮相国科会「科普环岛列车」
» imec车用小晶片计画汇集Arm、日月光、BMW集团等夥伴


刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8BR9AQ42YSTACUKU
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw