随着晶片制造商持续推动技术世代演进，要维持前段制程（FEOL）电晶体微缩、中段（MOL）与后段制程（BEOL）接点与导线技术一贯的开发时程，也变得充满挑战。爱美科CMOS元件技术研究计画主持人Naoto Horguchi、奈米导线研究计画主持人Zsolt Tokei汇整各自的领域专长，将于本文一同呈现先进制程技术的发展蓝图。

本文将依照微缩技术的发展途径，介绍前段制程中的全新元件架构，以及中段与后段制程中的新颖材料与整合方案，也会讨论这些开发技术各自的市场现况、技术挑战与原理。这些多元的微缩技术提供了晶片市场迈向1nm世代一条可能的通路。

逻辑晶片的要素：FEOL、BEOL、MOL
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