针对应用於2 MW范围的电力电子系统，当下关注的焦点是采用何种技术以及具有多久的生命周期。

常见的功率半导体模组有两种，一种是传统的焊接键结型功率半导体模组，另一种是具有相同额定功率的压接型功率半导体模组，如图一、图二所示。

图一 : 焊接键结型功率半导体

图二 : 压接型IGBT

预期使用寿命主要由功率循环（PC）进行验证。半导体中的电流变化会导致组装和连接产生温度偏差。上电最初几秒钟内的热波动使得键合线因热膨胀而产生微小移动。长远来看，这些移动会导致诸如键合线脱落或在键合点断裂的缺陷。
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