面对开发先进元件时越发严峻的微缩瓶颈，半导体开发人员持续积极寻找创新的材料、元件结构与制程来突破物理限制。二维材料是备受全球瞩目的新兴开发选择，各界尤其看好这类材料在延续逻辑元件微缩进展方面的潜力。

图一 : 半导体开发人员持续积极寻找创新的材料、元件结构与制程来突破物理限制。

二维材料，例如二硫化钨（WS2），在未来逻辑晶片的制造上扮演了关键要角。它们具备杰出的材料特性，因此可望实现闸极长度的终极微缩，进而延续逻辑电晶体微缩的发展蓝图。二维材料还可能改变晶片架构的设计思维，带来革命性的巨变，甚至能让紧凑型电晶体相容于后段制程，模糊了前段与后段制程之间的分界。

近年来，实验性二维电晶体的技术成熟度已经大幅提升，而且要将这项技术引进业界的开发途径也在持续拓展。同时，为了提升元件性能，现有的相关技术挑战也在着手解决。
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