前言

铁电记忆体（FRAM）现正成为许多设计工程师所喜欢的非挥发性记忆体。随着记忆体技术渐趋成熟，已由独立的形式转变为嵌入式，市场对嵌入式FRAM的兴趣也越来越浓，而本文将描述嵌入式FRAM 的应用实例。

FRAM三个明显的优势使其日益受到欢迎，第一是其执行写操作的速度与读操作的速度一样快。就总线速度写入而言，FRAM对写入资料变成非挥发性资料并没有任何延迟。这一点与基于浮栅技术的非挥发性记忆体不同，后者具有较长的写入延迟。举例说，对典型的电子可擦除唯读记忆体（EEPROM）的写操作，在资料写入至输入缓存之后，需要10毫秒才能使该写入有效。此外由于FRAM没有首选或预设状态，并不需要擦除操作，与其他随机记忆体（RAM）技术一样，如SRAM写入资料时无需考虑以前的状态。
...
...