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台湾宽能隙技术专家 瀚薪科技聚焦SiC与GaN元件开发
 

【作者: 王景新】2019年07月15日 星期一

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功率半导体元件(power semiconductor device)又称电力电子元件(power electronic device)系一高度竞争市场,外有国外大厂雄踞,内也有不少台厂投入,从工研院分拆出来的瀚薪科技设立于台湾新竹,是聚焦宽能隙(wide band-gap)材料基础的高功率半导体设计公司,长期致力于碳化矽(silicon carbide; SiC)与氮化镓(gallium nitride; GaN)功率半导体技术与产品开发,专注投入于SiC与GaN材料特性、制程工艺与功率半导体设计及电力电子应用相关研究。



图一 : 瀚薪碳化矽已研发至1700V,未来将往更高功率迈进(摄影/王景新)
图一 : 瀚薪碳化矽已研发至1700V,未来将往更高功率迈进(摄影/王景新)

「车用将是宽能隙功率半导体的一个重要应用市场,新能源汽车里面的DC/DC转换器,或是车载电源系统(onboard charger; OBC),透过SiC功率半导体的应用,可提升应用系统的电力转换效率,让行驶里程数增加或更有效的配置电池。」瀚薪科技行销与业务处处长杨雅岚表示。


她指出,行驶里程数增加意谓行车续航力延伸,对于电动车发来说,碳化矽(Silicon Carbide; SiC)是很关键的零件;包括去年特斯拉(Telsla)就在旗下新车使用碳化矽的金属氧化物半导体场效电晶体(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor ; MOSFET),也带动SiC功率半导体在电动车辆应用市场中快速前进。
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