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磷化铟镓InGaP HBTs 元件的可靠性讨论
 

【作者: 鳳上前】2001年12月05日 星期三

浏览人次:【6361】

砷化镓(GaAs) 和异质介面双极电晶体(Hetero-junction Bipolar Transistor, HBT)技术的结合,不但能在多元的应用上提供卓越的性能,并且由于元件较严谨的直流特性与射频参数的分布特性、较小的晶粒尺寸、较高的制作可重覆性,使得生产成本大大下降。这些特点同其他射频积体电路相比是非常受欢迎的。


《图一 磷化铟镓(InGaP)HBT的结构》
《图一 磷化铟镓(InGaP)HBT的结构》

砷化铝镓

传统的砷化铝镓(AlGaAs)HBT结构比较常见。早期,这种结构里的P+基极区需要使用分子束磊晶MBE(molecular beam epitaxy)设备掺杂金属元素铍(Be)。这种技术可以提供增强的性能,并且降低制作成本。
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