随着3C市场的需求及技术的演进，元件的大小必须由微米走向奈米的尺度（1～100奈米），以提供速度、耗电量、整合及密度等各方面的改进，特征尺寸（ Feature Size）如过去的0.25微米、0.18微米、0.13微米将进入90奈米，开始迈入奈米电子技术的新世代。国际半导体技术蓝图（International Technology Roadmap for Semiconductors；ITRS）预测在2004年90奈米将可导入生产线量产，但各国先进厂商均积极地迈入此新制程，例如Intel、IBM、TI、Toshiba、TSMC 、UMC...等，更已在2003年展开90奈米制程量产布局，以成为下一个市场的赢家，并积极地投入90奈米以下制程之研究，以预备下一个世代的来临。

但当特征尺寸继续走向65奈米、45奈米及32奈米以下制程时，制程技术将迈入更艰难的领域，其所面临的挑战可分为传统奈米电子微缩技术及新型结构技术。在传统奈米电子微缩技术方面，除了65奈米以下微影技术的发展机会未明之外，因金属连线线宽缩小所造成的电阻/电容时间延迟（RC Time Delay），需导入低介电材料，以降低内连线系统的讯号延迟时间。在新型结构技术方面，因高度积集的电晶体数量所造成之功率消耗，亦有利用绝缘层上覆矽（Silicon on Insulator；SOI）、应变矽（Strained-Si）等技术以达到微缩及提升效能等目的。

如(图一)所示，90奈米制程的产能从2004年每季约4500万平方英吋（MSI/Quarter）至2008年约220 MSI/Quarter，而预测65奈米制程在2006年开始小量生产。目前迈入90奈米制程的厂商，其主要产品为MPUs、ASICs及Foundry等。
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