隨著智慧型手機和媒體平板裝置大量傳輸數據的應用趨勢，行動DRAM（Mobile DRAM）的需求也為之水漲船高。同時，行動DRAM記憶體的發展樣貌正在改變當中，LPDDR2的出貨量很有機會在今年底前取代LPDDR1，成為行動DRAM的主流記憶體規格。但其他新興技術急起直追的態勢，也值得密切注意。

大廠重心轉移 Mobile DRAM成長驚人

由於智慧型手機、數位相機、可攜式媒體播放器、可攜式遊戲機、平板裝置和其他消費電子產品的龐大驅動力，行動DRAM的出貨量和記憶容量也不斷攀升。蘋果iPhone 4的行動DRAM容量已有512MB，而宏達電的Desire HD更達到768MB。而iPad的行動DRAM容量則有256MB，三星的Galaxy Tab也有512MB。根據市調機構Gartner預估，今年媒體平板裝置平均行動DRAM容量為507MB，而智慧手機平均容量為279MB，明年可提高到392MB。iSuppli則是預估，今年Mobile DRAM的成長率將達到71％，出貨量可達29億GB，2015年此一數字更將突破205億GB，比起2010年的17億GB大幅成長12倍之多。

行動DRAM市場今年可望繼續呈現活絡的態勢。2010年全球DRAM市場規模為391億美元，行動裝置相關應用就佔14％，達到55億美元。目前包括三星、海力士、爾必達、美光、南科及華亞科、華邦、茂德等均投入行動DRAM領域。爾必達已將重心從標準型DRAM轉向Mobile DRAM，後者營收已佔整體DRAM營收50％以上；爾必達合作夥伴瑞晶今年第3季可望取得技轉，首度量產Mobile DRAM，並導入30奈米製程。華邦則是鎖定中低階容量的虛擬SRAM產品區間，南科則已經推出Mobile LPDDR和LPDDR2樣品。

LPDDR2後勢看漲？效能和低功耗有待突破

不同於標準DRAM產品，行動DRAM更著重於降低功耗、減少散熱以及縮小空間等關鍵功能和特性。行動 DRAM是透過自動溫度補償自更新TCSR（Temperature Compensated Self Refresh）、記憶體陣列進行自更新PASR（Partial Array Self Refresh）和深度休眠DPD（Deep Power Down）等技術，來達到省電降低功耗的效果。行動DRAM並沒有標準規格，主要包括低功耗DRAM和虛擬DRAM（Pseudo SRAM）。虛擬SRAM整合DRAM核心和SRAM介面，晶片內含refresh電路設計、與傳統SRAM相容，可直接替代SRAM，容量更高、尺寸更輕薄、價格更便宜。

現在Mobile DRAM已朝向DDR 2製程演進。根據iSuppli預估，今年LPDDR2將成為在行動DRAM領域佔主導地位的熱門技術，預計在第2季之前，將可佔行動DRAM市場40％的市佔率。預計到第4季時，在媒體平板裝置的帶動下，LPDDR2可望超越LPDDR1，市佔率將達58％。

LPDDR2的資料傳輸率可達8.5Gb/s，工作時脈可達1066MHz，相較於LPDDR1無疑是更為優秀的效能表現。三星最近就公佈新款採用30奈米製程、工作時脈可達1066MHz、傳輸速率可達8GB/s的LPDDR2，功耗可降低25％、厚度只有0.8公釐，儲存容量可達1～2GB等級，已在3月底量產。三星最新款LPDDR2將直接威脅其他競爭對手在智慧手機和媒體平板裝置的生存空間。

儘管LPDDR2相對適用於手機和平板裝置，但是功耗和傳輸頻寬依舊是備受關注的核心。業界所希望的資料傳輸率要能達到12.8GB/s的水準，才能支援未來的智慧手機產品。LPDDR2的工作時脈勢必要更往上提昇，但這對於LPDDR2來說，可行性並不高，效能已經面臨天花板侷限。此外在功耗上，LPDDR2也有尚待克服的挑戰。iSuppli舉例指出，當系統在1.2V工作電壓下運作時，相較於LPDDR1，LPDDR2在每單位資料傳輸可省下大約50％的功耗。不過未來當行動裝置以10倍的單位資料傳輸運作時，LPDDR2所能省下的功耗就變得很少。

誰是取代LPDDR2的大贏家？

因此，其他可替代LPDDR2的新興行動DRAM技術繼續被市場所關注，這包括Rambus主抓的Mobile XDR；還有SPMT協會所主導、強調專利免費的SPMT（Serial Port Memory Technology）介面規格；以及Wide I/O、LPDDR3和DDR4等。推動SPMT介面的大廠包括三星、Silicon Image、安謀（ARM）、海力士、LG、邁威爾（Marvell）等。

這五大新興技術都強調具備比LPDDR2更低的功耗特性，傳輸速率也幾乎可達到12.8Gb/s的等級。除了Mobile XDR之外，其他新興技術不用專利費用，3月初Toshiba已經取得Rambus長達5年的Mobile XDR專利授權。Mobile XDR和SPMT短期內可進入商業化階段，LPDDR3的規格則尚未底定，至於DDR4要到2013年才會有具體的成果出現，LPDDR3和DDR4都不能採用LPDDR2的內核，也與既有的記憶體測試流程不相容。

至於Wide I/O宣稱可直接在矽晶層連結DRAM內核的特性。三星電子在3月初宣佈採用50奈米技術開發出Wide I/O介面的行動DRAM樣品，傳輸速率可達12.8Gb/s，功耗更可大幅降低87％，同時預計到2013年，三星可開發出20奈米製程、4GB封裝容量的Wide I/O行動DRAM樣品。Mobile XDR和Wide I/O後來居上的氣勢，不容小覷。