CTIMES日前舉辦了「數位電源驅動雙軸轉型：電子系統開發的綠色革命」為主題的東西講座研討會，吸引了眾多電子產業專業人士參與。此次會議深入探討了數位電源技術在推動電子系統開發的雙軸轉型中的關鍵作用，即實現更高的能源效率和更快的產品創新。

研討會中，ROHM半導體在其攤位上展示了以碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）為基礎的最新解決方案。其中， EcoGaN Power Stage IC 展示了ROHM在氮化鎵技術上的突破。這些產品具有高效率、低損耗和小型化等優勢，適用於電動車、太陽能發電和工業設備等領域；TRCDRIVE pack 則是一款整合了SiC MOSFET、閘極驅動器和控制IC的解決方案，可簡化設計並提高系統可靠性。

PIDA林政賢：第三代半導體，台灣光電產業的新藍海

圖一 : 光電科技工業協進會光電事業部資深專案經理林政賢

光電科技工業協進會光電事業部資深專案經理林政賢指出，隨著5G、電動車和AIoT等新興應用崛起，對高效能、高功率密度半導體的需求不斷增加，帶動了第三代半導體的快速發展。預計到2025年，全球化合物半導體市場將達到33億美元，2019年至2025年的複合年增長率約為42.3%。

林政賢表示，台灣在化合物半導體領域擁有完整的產業鏈，包括環球晶、漢民科技、富采投控、台積電和穩懋等主要廠商，具備相當的競爭優勢。預計2023年台灣化合物半導體產業產值將達到1,516億元新台幣，其中功率元件和通訊元件市場將分別成長5%和25%。

工研院黃祺峻：化合物半導體是電源效率提升的關鍵

圖二 : 工業技術研究院綠能與環境研究所副組長黃祺峻

工業技術研究院綠能與環境研究所副組長黃祺峻表示，全球淨零碳排目標為電源供應器產業帶來挑戰與機會。提升電源供應器效率，能帶動整體設備能效提升，符合國際減碳趨勢。預估2022年全球電源供應器市場規模達321億美元，其中中低功率電源供應器佔7成，台灣廠商佔有全球市場40%以上，市場需求強勁。

黃祺峻指出，化合物半導體材料如氮化鎵（GaN）和碳化矽（SiC），在功率元件應用上具備耐壓大、切換頻率高、功率損失小等優點，有助於提升電源轉換效率、縮小體積並降低成本。國際間也積極投入化合物半導體研發，美國、日本、歐盟和中國皆有相關計畫推動。

北科大唐丞譽教授：寬能隙元件實現高效率電源轉換器

圖三 : 國立臺北科技大學電機工程系教授唐丞譽

國立臺北科技大學電機工程系教授唐丞譽，分享了他在寬能隙元件應用於高效率電源轉換器的研究成果。他強調，隨著電動車、微電網等應用對電源轉換器效率和功率密度的要求日益提升，碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬能隙半導體材料，因其優越的特性，成為實現高效率電源轉換的關鍵。

唐丞譽及其團隊致力於開發各種應用於電動車、太陽能發電和電網等領域的高效率電源轉換器。

唐丞譽表示，寬能隙元件在電源轉換器中的應用，有助於提升能源轉換效率、縮小體積、降低成本，並實現更環保的能源應用。他的團隊將持續致力於寬能隙電力電子技術的研究，為綠色能源發展貢獻一份力量。

德凱宜特謝博安：掌握寬能隙功率元件測試關鍵 確保EV安全

圖四 : 德凱宜特零組件工程部技術經理謝博安

德凱宜特零組件工程部技術經理謝博安，針對寬能隙功率元件在電動車與汽車應用的可靠性測試與量測技術進行了深入探討。他指出，隨著寬能隙半導體如碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）的應用日益廣泛，相關的測試標準與技術也在不斷演進。

謝博安首先介紹了汽車產業中常用的AEC-Q101和AQG324兩大標準，並詳細說明了其中的測試項目與流程。他強調，針對寬能隙功率元件的特性，這些標準也在進行更新，例如考慮到電弧風險，建議使用H3TRB取代HAST測試。

接著，謝博安分享了德凱宜特在寬能隙功率元件功能性測試方面的專業能力。他們提供多種測試服務，包括靜態和動態參數驗證、熱阻量測、安全操作區評估等，並能協助客戶進行失效分析。