IGBT由初始的Planar演进至第四代的Trench，现在又有人提出第五代Thin Wafer制程。随着制程及设计的进步，IGBT的触角正逐渐深入高频及高功率的领域，扩张其版图。可预见的是，IGBT的性能将会继续改进，成为功率组件的主流。

在讲求高效率及节省能源的今天，如何有效的运用生活中不可或缺的电，成为一个新的课题。现代的社会对电的依赖性越来越高，从小型的收音机、电视机至大型的空调冷却系统、高速火车，都需用到电力。如何利用输入的电力，加以控制，并有效率的将之转换为我们所需要的输出形式，实有赖于功率组件（Power Device）的技术。(图一)显示半导体功率组件已被广泛的用在许多的用途中，包括电源供应器、汽车、显示器、通讯电子、照明、工厂自动化、马达控制等等。

我们可以看到功率组件应用的范围相当广，电压由数十伏特至数千甚至上万伏特，而电流则可从数个毫安至数百或上千安培。当然，不可能有一个组件可以适用所有的用途。因此根据不同的功率要求就有不同结构的组件被发明。(图二)显示不同功率及频率的要求下，所适用的组件结构。除了一些超高功率的应用外，其余的应用几乎被IGBT与MOSFET所涵盖。在分类上，IGBT适用于较低频及较高功率的应用，而MOSFET则适合用在高频与低功率的范围。当然MOSFET也可以用在高功率的地方，不过其效率会急剧的下降。同理，IGBT也不适合用在低功率的地方。
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