CTIMES- 丰田合成GaN基板技术获突破功率元件性能大幅提升

丰田合成株式会社近日宣布，其提升氮化??(GaN)基板性能的技术已获得验证，能有效改善功率元件性能。相关研究成果已发表於国际固态物理学期刊。

更优异的功率元件在电力调节方面扮演关键角色，对於减少社会碳排放至关重要。将功率元件的材料从矽转换为氮化??，可节省90%的能源，并实现性能更隹的元件，而这需要量产更大、品质更高的GaN基板。

日本环境省正在主导一项广泛应用 GaN功率元件的项目，丰田合成则提供技术以获得理想的GaN晶体。该项目的一项成果是，使用丰田合成与大阪大学共同开发的 GaN种晶所制造的 GaN基板，功率元件性能得到显着提升。与使用市售基板制造的功率元件相比，使用这些 GaN基板的功率元件在功率调节能力和良率方面均表现更隹。
...
...