德州仪器扩大氮化??半导体内部制造作业 将自有产能提升至四倍

德州仪器 （TI） 已开始在日本会津的工厂生产氮化?? （GaN） 功率半导体。随着会津厂进入生产，加上位於德州达拉斯的现有GaN制造作业，TI 现针对GaN功率半导体的自有产能可增加至四倍之多。GaN做为矽的替代方案，这款半导体材料可在许多领域中提供优势，包括节能、开关速度、电源解决方案尺寸与重量、整体系统成本，以及在高温与高压条件下的性能等。

图一 : 德州仪器於自有的第二家工厂生产GaN功率半导体

GaN晶片可提供更高的功率密度，也就是在更小的空间提供更多功率，使其能应用於笔记型电脑或行动电话的电源转接器，或是更小、更节能的加热与空调系统和家用电器马达。现在，TI提供广泛的整合式GaN功率半导体产品组合，从低电压到高电压都包含在内，藉此实现最为节能、可靠且具高功率密度的电子产品。