英飞凌推出采用TO263-7封装的新一代车规级1200 V CoolSiC MOSFET。这款新一代车规级碳化矽（SiC）MOSFET具有高功率密度和效率，能够实现双向充电功能，并显着降低了车载充电（OBC）和DC-DC应用的系统成本。

图一 : 英飞凌推出 TO263-7 封装的新一代 1200 V CoolSiC 沟槽式 MOSFET

相比第一代产品，1200 V CoolSiC系列的开关损耗降低了25%，具有同类最隹的开关性能。这种开关性能上的改进实现了高频运行，缩小了系统尺寸并提高了功率密度。由於闸极-源极??值电压（VGS(th)）大於4V且Crss/Ciss比率极低，因此在VGS=0 V时可实现可靠的关断，而且没有寄生导通的风险。这使得单极驱动成为可能，从而降低了系统成本和复杂性。另外，新一代产品具有低导通电阻（RDS(on)），减少了-55℃至175℃温度范围内的导通损耗。

先进的扩散焊接晶片贴装工艺（.XT技术）显着改善了封装的热性能，相比第一代产品，SiC MOSFET的接面温度降低了25%。
...
...