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典故
只有互助合作才能双赢——从USB2.0沿革谈起

USB的沿革历史充满曲折,其中各大厂商从本位主义的相互对抗,到尝尽深刻教训后的Wintel合作,能否给予后进有意「彼可取而代之」者一些深思与反省?
台湾宽能隙技术专家 瀚薪科技聚焦SiC与GaN元件开发 (2019.07.15)
从工研院分拆出来的瀚薪科技设立於台湾新竹,是聚焦宽能隙(wide band-gap)材料基础的高功率半导体设计公司。
SiC量产差临门一脚 尚需进一步降低成本并提升材料质量 (2019.06.21)
随着微电子技术的发展,传统的Si和GaAs半导体材料由於本身结构和特性的原因,在高温、高频、光电等方面越来越显示出其不足和局限性,目前,人们已将注意力转移到SiC材料,这将是最成熟的宽能带半导体材料
英飞凌 CoolGaN e-mode HEMT 获 Computex Best Choice Award 类别奖 (2019.05.21)
英飞凌科技今日宣布,旗下氮化??功率元件CoolGaN e-mode HEMT 系列凭藉其高功率密度、同级最隹效率及降低系统成本等优势,荣获 2019年度Computex BC Award 类别奖。同时,英飞凌也是目前市场上唯一一家专注於高压功率器件,涵盖矽(Si)、碳化矽(SiC)和氮化??(GaN)材料的全方位供应商
英飞凌扩大量产并加速推出CoolSiC MOSFET分离式封装产品组合 (2019.05.17)
英飞凌科技1200 V CoolSiC MOSFET 产品组合进入大量生产阶段。这些产品的额定值从 30 m? 至 350 m? ,并采用 TO247-3 与 TO247-4 封装。另更延伸产品系列,即将推出的新产品包括表面黏着装置 (SMD) 产品组合及 650 V CoolSiC MOSFET 产品系列
Microchip宣布推出全新碳化矽(SiC)产品 (2019.05.16)
Microchip Technology Inc. 透过其子公司Microsemi(美高森美)宣布推出一系列SiC功率元件。该系列元件具有良好的耐用性,以及宽能隙(wide-bandgap)半导体技术优势。它们将与Microchip各类微控制器和类比解决方案形成产品的互补优势,加入Microchip不断壮大的SiC产品组合,满足了电动汽车和其它大功率应用领域迅速发展的市场需求
CREE投资10亿美元 扩大SiC碳化矽产能 (2019.05.08)
Cree 宣布,将投资10亿美元用於扩大SiC碳化矽产能,在公司美国总部北卡罗莱纳州特勒姆市建造一座采用最先进技术的自动化200mm SiC碳化矽生产工厂和一座材料超级工厂。 该项目为该公司至今最大的投资,将为Wolfspeed SiC碳化矽和GaN-on-SiC碳化矽基氮化??业务提供动能
ROHM推出全球首创内建1700V SiC MOSFET AC/DC转换IC (2019.04.18)
ROHM今日宣布针对大功率通用变流器、AC伺服器、工业用空调、街灯等工控装置,研发出内建1700V耐压SiC MOSFET的AC/DC IC「BM2SCQ12xT-LBZ」。 「BM2SCQ12xT-LBZ」是世界首款内建高度节能性的SiC MOSFET AC/DC转换IC,克服了离散式结构所带来的设计课题,因此可轻易地研发出节能型AC/DC转换器
新世代的电力电子 将让电动车更便宜、更有效率 (2019.03.11)
:欧盟的HiPERFORM将推出宽能隙的电力电子,并运用在下世代的电动车之中。
使用SiC技术攻克汽车挑战 (2019.01.07)
在未来几年投入使用SiC技术来应对汽车电子技术挑战是ECSEL JU的WInSiC4AP专案所要达成的目标之一。
ROHM推出1700V全SiC功率模组「BSM250D17P2E004」 在高温高湿环境下实现可靠性 (2018.12.05)
半导体制造商ROHM(总公司:日本国京都市)针对以户外发电系统和充放电测试仪等评估装置为首的工业装置用电源逆变器(Inverter)和转换器(Converter),研发出实现可靠性的保证额定值1700V 250A的全SiC功率模组「BSM250D17P2E004」
英飞凌在台发表氮化??功率元件新品 抢占GaN市场龙头 (2018.12.04)
英飞凌(Infineon)今日在台北举行氮化??(GaN)方案CoolGaN新品发表会,宣布推出新一代GoolGaN 600 V增强型HEMT方案,以及专为其氮化??晶片所设计的驱动IC EiceDRIVER产品,能为电源产品带来更隹的电源效率与功率密度,同时也能缩小装置的体积,并进一步降低整体的设计成本
UnitedSiC在UF3C FAST FET系列中新增Kelvin连接器件 (2018.12.04)
Sic功率半岛制造商UnitedSiC宣布扩展UF3C FAST产品系列,并推出采用TO-247-4L 4引脚Kelvin Sense封装的全新系列650 V和1200 V高性能碳化矽FET器件,新产品基於高效的共源共栅配置,可为设计人员提供非常快的开关速度和较高的功率,并且其封装能够满足高功率应用的散热要求
兼具高效能与可靠性 英飞凌打造新一代SiC元件 (2018.10.04)
随着能源议题逐渐被重视,碳化矽绝对是能源产业的明日之星。英飞凌专注於发展碳化矽沟槽式架构,兼顾可靠性与高效能,并不断精进产能与良率,让碳化矽功率元件可以进一步普及
看准SiC低耗能、高效率 罗姆将其用於赛车逆变器 (2018.10.04)
罗姆於碳化矽制程以有18年的经验,除了常见的将碳化矽元件使用於新能源及电动车上之外,罗姆於2016年也与Venturi Formula E团队合作,将SiC功率元件使用於赛车的逆变器中
意法半导体电隔离栅极驱动器 控制并保护SiC、MOSGET、IGBT (2018.08.15)
意法半导体(STMicroelectronics)的STGAP2S单路隔离栅极驱动器提供26V的最大栅极驱动输出电压,能让使用者选择独立的导通/关断输出或内部主动米勒钳位功能,其可使用於各种开关拓扑控制碳化矽(SiC)或矽MOSFET和IGBT功率电晶体
Wolfspeed推出首个满足汽车AEC-Q101标准的SiC器件系列 (2018.08.09)
科锐旗下Wolfspeed宣布推出E-系列碳化矽(SiC)半导体器件,这一新型产品家族针对电动汽车EV和可再生能源市场,能够为车载汽车功率转换系统、非车载充电、太阳能逆变器和其它户外应用提供目前最高的功率密度和长期可靠性
英飞凌发表CoolSiC MOSFET产品 兼具高性能与可靠度 (2018.07.24)
德国半导体元件商英飞凌(Infineon)今日在台北宣布推出新一代搭载CoolSiC技术的MOSFET系列产品,透过其独特的碳化矽 (SiC) 沟槽式 (Trench) 技术,提供高性能、高可靠度、高功率密度,且具成本效益的电源解决方案
Littelfuse SiC萧特基二极体降低能源成本和空间要求 (2018.06.30)
Littelfuse新推出五款GEN2系列1200 V 3L TO-247萧特基二极体和三款GEN2系列1200 V 2L TO-263萧特基二极体,扩充其碳化矽电源半导体产品组合。 相比矽二极体,GEN2碳化矽萧特基二极体可显着降低开关损耗,并大幅提高电力电子系统的效率和可靠性
Wolfspeed最新1200V SiC MOSFET 促进电动车市场发展 (2018.06.26)
科锐旗下Wolfspeed於近日宣布推出最新第三代1200V碳化矽SiC MOSFET系列,为电动汽车动力传动系统带来性能突破。 这一开关元件能够实现高电压功率转换,进一步巩固Wolfspeed在电动汽车生态系统解决方案领域的领先地位
英飞凌推出车用CoolSiC肖特基二极体 结合效能与耐用性 (2018.06.19)
英飞凌科技股份有限公司首款车用碳化矽系列CoolSiC肖特基二极体系列於日前PCIM展会上亮相,该款肖特基二极体已准备就绪,可用於目前和未来油电混合车和电动车中的车载充电器 (OBC) 应用

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