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Google的诞生与成功秘诀

Google 凭借的是效能而非花俏的服务,以高水平的搜寻质量,及在用户间获得的高可信赖度,成为网络业的模范。而搜寻方法就是Google成功的秘密所在。
打造SiC走廊 科锐将於纽约州建造最大SiC工厂 (2019.09.24)
科锐(Cree)计画在美国东海岸创建碳化矽走廊,建造全球最大的碳化矽制造工厂。科锐将在美国纽约州Marcy建造一座全新的采用最先进技术并满足车规级标准的200mm(8寸)功率和射频(RF)晶圆制造工厂,而与之相辅相成的超级材料工厂(mega materials factory)的建造扩产正在公司特勒姆总部开展进行
ROHM推出4引脚封装SiC MOSFET SCT3xxx xR系列 (2019.09.24)
半导体制造商ROHM推出6款沟槽闸结构SiC MOSFET「SCT3xxx xR系列」产品(耐压650V/1200V),适用於有高效率需求的伺服器电源、太阳能变流器及电动车充电站等应用。 此次新研发的系列产品采用4引脚封装(TO-247-4L),可充分发挥SiC MOSFET本身的高速开关性能
科锐将在纽约州建造全球最大SiC制造工厂 (2019.09.24)
作为碳化矽(SiC)技术全球领先企业的科锐(Cree, Inc.),於今日宣布计画在美国东海岸创建碳化矽走廊,建造全球最大的碳化矽制造工厂。科锐将在美国纽约州Marcy建造一座全新的采用最先进技术并满足车规级标准的200mm功率和射频(RF)晶圆制造工厂
ST提供先进SiC功率电子元件 协助雷诺/日产/三菱联盟研发下一代电动汽车快充技术 (2019.09.16)
意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)被雷诺━日产━三菱联盟指定为高效能碳化矽(SiC)技术合作夥伴,为即将推出之新一代电动汽车的先进车载充电器(On-Board Charger,OBC)提供功率电子元件
Cree与德尔福科技开展汽车SiC元件合作 (2019.09.15)
科锐(Cree)与德尔福科技(Delphi Technologies)宣布开展汽车碳化矽(SiC)元件合作。双方的此次合作将通过采用碳化矽(SiC)半导体技术,为未来电动汽车(EV)提供更快、更小、更轻、更强劲的电子系统
台湾宽能隙技术专家 瀚薪科技聚焦SiC与GaN元件开发 (2019.07.15)
从工研院分拆出来的瀚薪科技设立於台湾新竹,是聚焦宽能隙(wide band-gap)材料基础的高功率半导体设计公司。
SiC量产差临门一脚 尚需进一步降低成本并提升材料质量 (2019.06.21)
随着微电子技术的发展,传统的Si和GaAs半导体材料由於本身结构和特性的原因,在高温、高频、光电等方面越来越显示出其不足和局限性,目前,人们已将注意力转移到SiC材料,这将是最成熟的宽能带半导体材料
英飞凌 CoolGaN e-mode HEMT 获 Computex Best Choice Award 类别奖 (2019.05.21)
英飞凌科技今日宣布,旗下氮化??功率元件CoolGaN e-mode HEMT 系列凭藉其高功率密度、同级最隹效率及降低系统成本等优势,荣获 2019年度Computex BC Award 类别奖。同时,英飞凌也是目前市场上唯一一家专注於高压功率器件,涵盖矽(Si)、碳化矽(SiC)和氮化??(GaN)材料的全方位供应商
英飞凌扩大量产并加速推出CoolSiC MOSFET分离式封装产品组合 (2019.05.17)
英飞凌科技1200 V CoolSiC MOSFET 产品组合进入大量生产阶段。这些产品的额定值从 30 m? 至 350 m? ,并采用 TO247-3 与 TO247-4 封装。另更延伸产品系列,即将推出的新产品包括表面黏着装置 (SMD) 产品组合及 650 V CoolSiC MOSFET 产品系列
Microchip宣布推出全新碳化矽(SiC)产品 (2019.05.16)
Microchip Technology Inc. 透过其子公司Microsemi(美高森美)宣布推出一系列SiC功率元件。该系列元件具有良好的耐用性,以及宽能隙(wide-bandgap)半导体技术优势。它们将与Microchip各类微控制器和类比解决方案形成产品的互补优势,加入Microchip不断壮大的SiC产品组合,满足了电动汽车和其它大功率应用领域迅速发展的市场需求
CREE投资10亿美元 扩大SiC碳化矽产能 (2019.05.08)
Cree 宣布,将投资10亿美元用於扩大SiC碳化矽产能,在公司美国总部北卡罗莱纳州特勒姆市建造一座采用最先进技术的自动化200mm SiC碳化矽生产工厂和一座材料超级工厂。 该项目为该公司至今最大的投资,将为Wolfspeed SiC碳化矽和GaN-on-SiC碳化矽基氮化??业务提供动能
ROHM推出全球首创内建1700V SiC MOSFET AC/DC转换IC (2019.04.18)
ROHM今日宣布针对大功率通用变流器、AC伺服器、工业用空调、街灯等工控装置,研发出内建1700V耐压SiC MOSFET的AC/DC IC「BM2SCQ12xT-LBZ」。 「BM2SCQ12xT-LBZ」是世界首款内建高度节能性的SiC MOSFET AC/DC转换IC,克服了离散式结构所带来的设计课题,因此可轻易地研发出节能型AC/DC转换器
新世代的电力电子 将让电动车更便宜、更有效率 (2019.03.11)
:欧盟的HiPERFORM将推出宽能隙的电力电子,并运用在下世代的电动车之中。
使用SiC技术攻克汽车挑战 (2019.01.07)
在未来几年投入使用SiC技术来应对汽车电子技术挑战是ECSEL JU的WInSiC4AP专案所要达成的目标之一。
ROHM推出1700V全SiC功率模组「BSM250D17P2E004」 在高温高湿环境下实现可靠性 (2018.12.05)
半导体制造商ROHM(总公司:日本国京都市)针对以户外发电系统和充放电测试仪等评估装置为首的工业装置用电源逆变器(Inverter)和转换器(Converter),研发出实现可靠性的保证额定值1700V 250A的全SiC功率模组「BSM250D17P2E004」
英飞凌在台发表氮化??功率元件新品 抢占GaN市场龙头 (2018.12.04)
英飞凌(Infineon)今日在台北举行氮化??(GaN)方案CoolGaN新品发表会,宣布推出新一代GoolGaN 600 V增强型HEMT方案,以及专为其氮化??晶片所设计的驱动IC EiceDRIVER产品,能为电源产品带来更隹的电源效率与功率密度,同时也能缩小装置的体积,并进一步降低整体的设计成本
UnitedSiC在UF3C FAST FET系列中新增Kelvin连接器件 (2018.12.04)
Sic功率半岛制造商UnitedSiC宣布扩展UF3C FAST产品系列,并推出采用TO-247-4L 4引脚Kelvin Sense封装的全新系列650 V和1200 V高性能碳化矽FET器件,新产品基於高效的共源共栅配置,可为设计人员提供非常快的开关速度和较高的功率,并且其封装能够满足高功率应用的散热要求
兼具高效能与可靠性 英飞凌打造新一代SiC元件 (2018.10.04)
随着能源议题逐渐被重视,碳化矽绝对是能源产业的明日之星。英飞凌专注於发展碳化矽沟槽式架构,兼顾可靠性与高效能,并不断精进产能与良率,让碳化矽功率元件可以进一步普及
看准SiC低耗能、高效率 罗姆将其用於赛车逆变器 (2018.10.04)
罗姆於碳化矽制程以有18年的经验,除了常见的将碳化矽元件使用於新能源及电动车上之外,罗姆於2016年也与Venturi Formula E团队合作,将SiC功率元件使用於赛车的逆变器中
意法半导体电隔离栅极驱动器 控制并保护SiC、MOSGET、IGBT (2018.08.15)
意法半导体(STMicroelectronics)的STGAP2S单路隔离栅极驱动器提供26V的最大栅极驱动输出电压,能让使用者选择独立的导通/关断输出或内部主动米勒钳位功能,其可使用於各种开关拓扑控制碳化矽(SiC)或矽MOSFET和IGBT功率电晶体

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7 ST提供先进SiC功率电子元件 协助雷诺/日产/三菱联盟研发下一代电动汽车快充技术
8 Cree与德尔福科技开展汽车SiC元件合作
9 科锐将在纽约州建造全球最大SiC制造工厂

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