ST BCD制程技术获颁IEEE里程碑奖 长跑35年第十代即将量产

意法半导体（ST）宣布，电机电子工程师学会（Institute of Electrical and Electronics Engineering，IEEE）授予意法半导体IEEE里程碑奖，表彰ST在超级整合矽闸半导体制程技术领域的创新研发成果。ST的BCD技术可以单晶片整合双极制程高精密类比电晶体、CMOS制程高性能数位开关电晶体和高功率DMOS电晶体，满足高复杂度、大功率应用的需求。多年来，BCD制程技术已赋能硬碟驱动器、印表机和汽车系统等终端应用获得重大技术发展。

在意法半导体Agrate工厂的即时／线上揭牌仪式中，IEEE义大利分部人道主义活动委员会协调人暨前秘书Giambattista Gruosso，以及意法半导体总裁暨执行长Jean-Marc Chery共同揭开了IEEE里程碑牌匾。

ST率先采用单晶片整合双极型电晶体、CMOS电晶体和DMOS电晶体（BCD）的超级整合矽闸极制程，解决复杂、具大功率需求的应用设计挑战。首个BCD超级积体电路L6202可控制最高60V-5A的功率，开关频率300kHz。随後汽车、电脑和工业自动化也逐渐采用这项制程技术，让晶片设计人员能灵活、可靠地以单晶片整合功率、类比和数位讯号处理电路。
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