随着电源要求、法规管制以及效率标准和EMI要求的日趋严格，电源越来越需要采用开关功率元件，因为开关功率元件效率更高且工作范围更宽。与此同时，设计人员持续承受着降低成本和节省空间的压力，面对这些需求，需要替代经典矽（Si）基MOSFET的产品。

碳化矽（SiC）现已成熟并发展到第三代，已经成为一种明智的选择。采用SiC架构的FET具有许多性能优势，其中最为突出的特点是效率更高、可靠性更好、热管理问题更少，且占用空间更小。这些产品适用于整个功率范围，不需要彻底改变设计技术，不过可能需要进行一些调整。
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