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快闪记忆体应用的控制晶片技术
 

【作者: 黃士德】2006年05月02日 星期二

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数位相机、手机相机与MP3在这几年来的成长十分迅速,使得消费者对储存媒体的需求也急速增加,由于快闪记忆体(Flash)具有资料非挥发性、省电、体积小与无机械结构等的特性,适合可携式应用,最适合使用于这类可携式由电池供电的产品上。因此近几年来Flash产业成为电子产业中相当热门的一环,不管是上游的Flash晶片供应商,以及生产控制晶片的厂商到下游的记忆卡的制造与通路商,都相当的活络。


Flash主要可以分为两大类,一类是Code Flash用来放置系统中微处理器的程式码,具有读取速度快与可随机存取的特性,但晶片容量较低。另一种则是Data Flash,具有循序读取与大容量的特性,适合作为资料储存的用途。而Data Flash依照电路架构又可分为NAND、AG-NAND、NROM等,但因为主要的Flash晶片厂商如三星、东芝、海力士与意法半导体都是采用NAND架构,因此我们也常将Data Flash通称为NAND Flash。NAND Flash的晶片容量技术在这几年中由于需求畅旺,使得各家厂商纷纷卯足全力一方面扩充产能,一方面用更先进的制程技术来量产,预估在2006年中,单颗容量为8Gb(1GB)就将成为市场主流,而2006年底将就可以看到单颗容量为32Gb(4GB),用MP3做例子,4GB足足可以听上4000分钟,而这相当于整整播放三天的音乐却是仅仅存在一颗晶片中。


各式Flash储存设备
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