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攜手格芯 Microchip開始量產28奈米SuperFlash嵌入式快閃記憶體

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GlobalFoundries、Microchip及其旗下子公司冠捷半導體(SST)今(28)日宣佈,採用GF 28SLPe製程的SST ESF3第三代嵌入式SuperFlash技術NVM解決方案即將投產。


圖一 : 採用GlobalFoundries 28SLPe 製程的SST ESF3第三代嵌入式SuperFlash技術NVM 解決方案即將投產。
圖一 : 採用GlobalFoundries 28SLPe 製程的SST ESF3第三代嵌入式SuperFlash技術NVM 解決方案即將投產。

隨著邊緣智慧化水準的不斷提高,嵌入式快閃記憶體的應用也呈爆炸式增長。在家庭和工業物聯網以及智慧行動設備的廣泛應用,用於安全程式碼儲存、OTA更新和增強功能的嵌入式記憶體正呈上升趨勢。滿足這些需求需要創新的平台。


在實施冠捷半導體應用廣泛的ESF3 SuperFlash技術方面,GlobalFoundries確立新的行業基準。GlobalFoundries業務長Mike Hogan表示:「GlobalFoundries與冠捷半導體合作,在28SLPe平台上開發、認證並投產這款令人印象深刻的嵌入式NVM解決方案。GlobalFoundries的客戶發現,這款解決方案集高效能、出色的可靠性、IP可用性和成本效益於一身,非常適合先進的MCU、複雜的智慧卡及面向消費和工業產品的物聯網晶片。」
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