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挑戰深次微米時代之ASIC/SoC設計
 

【作者: 徐富桂】   2003年10月05日 星期日

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積體電路的發展趨勢顯示,奈米時代已經來臨。目前主流設計已利用180nm(0.18μm)、150nm(0.15μm)製程實現,而一些先進設計,如高速微處理器(CPU)和高級記憶體等,更已經採用130nm(0.13μm)甚至100nm(0.1μm)、90nm技術進行製造。從製造端來看,佔世界晶圓代工市場76%的台灣晶圓雙雄不約而同的朝向高階製程技術發展,根據ITIS計畫統計,台積電與聯電對高階製程技術養成態度相當積極,且高階技術已逐漸成為其營收重要來源。


以2003年第二季而言,台積電0.13μm佔營收17%、0.15μm佔21%、0.18μm佔24%、0.25μm佔20%、0.35μm及0.5μm分別佔9%。其中0.18μm在過去一年來皆維持在21~24%﹐但0.25μm占營收比重卻逐漸萎縮﹐由27%降至20%﹐0.35μm及0.5μm也迅速由過去的二位數市佔率下滑至9%。而在聯電方面,2003年第二季營收結構中﹐0.13μm佔6%、0.15μm佔8%、0.18μm佔24%、0.25μm佔22%、0.35μm及0.5μm分別佔28%、12%。高階產能佔營收比重雖不如台積電多﹐不過大趨勢也是往高階深次微米製程邁進。


奈米設計的挑戰
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