製程餘裕較小的先進技術節點需要改進微影疊對的管制。基於光學量測目標的研發檢測（DI）時的疊對管制在半導體製造中已經頗具規模。在目標設計和量測技術方面的進展，使疊對的精確度和準確度都得到了大幅提升。表示晶片內裝置上蝕刻疊對的一種方法就是在最終檢測（FI）時，使用掃描電子顯微鏡（SEM）進行測量。這種方法的劣勢在於無法返工和疊對的層覆蓋有限，這是由於缺乏透明及經營成本（CoO）較高。

本報告研究了一種混合方法，將不頻繁測量的 DI/FI 偏差進行表徵，且把其結果用於補償頻繁測量的 DI 疊對結果。這個偏差表徵並不是頻繁進行，可基於時間，或者由轉變點觸發。在按元件和按層的基礎上，將DI 的光學目標疊對與 FI 的 SEM 的元件上的疊對進行比較，對兩者的偏差表徵結果進行驗證并跟蹤，用於補償 DI APC 控制器。本文介紹 DI/FI 偏差表徵結果和變化來源，並介紹對DI調整饋送 APC 系統的影響。本文回顧該方法在大批量製造（HVM）晶圓廠的實施詳情，並在文章最後將討論該研究的未來方向。
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