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全CMOS製程為射頻電路必然趨勢
專訪Silicon Labs副總裁Ed Healy

【作者: 歐敏銓】   2002年05月05日 星期日

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《照片人物 Silicon Labs副總裁Ed Healy》
《照片人物 Silicon Labs副總裁Ed Healy》

電子元件持續走向高密度、高整合性的設計趨勢,以減少元件數及晶片、面板體積,但仍能獲致更佳的效能,並降低成本。在終端通訊設備的市場,尤其是手機的設計上,輕薄短小更是一直以來致力達成的目標,但若打開手機的外殼,其電路板上仍有七、八十個元件,複雜度可以想見。


目前射頻(RF)電路正朝向模組化(SiP)及單晶片化(SoC)兩大路線發展,業者相信不久後的電路板上,將只會見到不足十個的整合晶片。但由於不同功能的射頻元件有不同的適合製程技術,例如PA多採GaAs HBT製程,Switch多採pHEMT,其他元件則有BiCMOS或SiGe等,不一而足,整合的路仍充滿挑戰。


因此能在射頻市場上競逐的廠商,皆有其技術上的獨到之處。1996年成立於德州奧斯丁市的Silicon Labs公司,即以全CMOS製程來開發Mixed-signal IC,且在技術上不斷有所突破而備受注目,至今已申請到超過125項專利。
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