Transphorm推出參考設計 加速氮化鎵電源配接器開發

Transphorm推出七款參考設計，旨在加快採用氮化鎵的USB-C PD電源配接器的研發。該參考設計組合包括廣泛的開放式框架設計選項，涵蓋多種拓撲結構、輸出和功率（45W至140W）。

圖一 : Transphorm推出參考設計組合，加快USB-C PD氮化鎵電源配接器的開發

SuperGaN技術的差異化優勢

電源配接器參考設計採用SuperGaN第IV代650V FET，具有設計簡單、可靠性高和性能強勁的優勢，這些特點已經成為Transphorm氮化鎵元件的代名詞。在最近的對比分析中，與175毫歐的e-mode氮化鎵元件 相比，Transphorm的240毫歐SuperGaN FET在溫度超過75℃時顯示出更低的導通電阻上升幅度，並在50%和100%（全）功率下擁有更高的性能。
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