账号:
密码:
最新动态
产业快讯
CTIMES/SmartAuto / 新闻 /
力晶成功试产0.18微米制程256Mb SDRAM及DDR SDRAM
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2001年03月09日 星期五

浏览人次:【1433】

新竹科学园区厂商力晶半导体公司日前宣布,该公司已试产成功0.18微米制程的256MbSDRAM,且将同步推出256Mb SDRAM及256Mb DDR SDRAM(倍速数据传输内存)产品并进行验证,预计第二季投产,初估至年底月出货量可接近百万颗。

蔡国智指出,力晶公司在去年12月开始投产256MbSDRAM, 今年2月试产结果出炉,良率令人满意,3月中陆渎推出256MbSDRAM及256Mb DDR SDRAM样品,预计第二量产,初步计划到第四季每月出量可接近一百万颗。

除了256Mb DRAM生产力晶半体也将于第一季试产128Mb DDR SDRAM,力晶公司能以先进的0.18微米生产256Mb SDRAM,再次验证力晶在先进制程与大容量内存的生产能力,256Mb SDRAM的试产已为128Mb DDR SDRAM打下良好的根基。

關鍵字: SDRAM  力晶半导体 
相关新闻
JEDEC协会推出新低电力内存标准「LPDDR2」
力晶半导体97年11月营收达16.7亿元
力晶2008年10月营收达26.03亿元
华邦将于台北国际电子展推出高应用度之SDRAM
力晶宣布2008年4月营收达新台币51.12亿元
comments powered by Disqus
相关讨论
  相关文章
» SiC MOSFET:意法半导体克服产业挑战的颠覆性技术
» STM32MP25系列MPU加速边缘AI应用发展 开启嵌入式智慧新时代
» STM32 MCU产品线再添新成员 STM32H7R/S与STM32U0各擅胜场
» STM32WBA系列推动物联网发展 多协定无线连接成效率关键
» 开启边缘智能新时代 ST引领AI开发潮流


刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8BOB0G2OWSTACUKC
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw