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力晶成功试产0.18微米制程256Mb SDRAM及DDR SDRAM
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2001年03月09日 星期五

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新竹科学园区厂商力晶半导体公司日前宣布,该公司已试产成功0.18微米制程的256MbSDRAM,且将同步推出256Mb SDRAM及256Mb DDR SDRAM(倍速数据传输内存)产品并进行验证,预计第二季投产,初估至年底月出货量可接近百万颗。

蔡国智指出,力晶公司在去年12月开始投产256MbSDRAM, 今年2月试产结果出炉,良率令人满意,3月中陆渎推出256MbSDRAM及256Mb DDR SDRAM样品,预计第二量产,初步计划到第四季每月出量可接近一百万颗。

除了256Mb DRAM生产力晶半体也将于第一季试产128Mb DDR SDRAM,力晶公司能以先进的0.18微米生产256Mb SDRAM,再次验证力晶在先进制程与大容量内存的生产能力,256Mb SDRAM的试产已为128Mb DDR SDRAM打下良好的根基。

關鍵字: SDRAM  力晶半导体 
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