富士通研究所与富士通微电子合作开发了低成本32奈米CMOS制程技术。据了解，这种技术是在pMOS中导入硅化（FUSI）的金属栅极，因制程所增加的成本低于1％，但与45奈米制程相比，高速CMOS的耗电量可减少20％，低耗电CMOS则可减少40％。

该技术的nMOS采用NiSi/多结晶硅两层栅极，pMOS采用NiSi完全硅化栅极。增加的制程只有一个，是传统向nMOS和pMOS两者导入新型金属栅极材料所需制程数的1/6。这也是首次只在单侧MOS中采用完全硅化栅极，必须具备非常丰富的经验。

对于nMOS，在多结晶硅栅极中添加杂质以改变晶格常数，并对沟道进行拉伸变形以提高驱动力。电源电压为1V时的导通电流比原来增加22％，达到了1mA/μm（截止电流为100nA/μm）。pMOS方面，采用金属栅极，藉由抑制栅极空洞化以提高驱动力。电源电压为-1V时的导通电流比原来增加10％，达到了650μA/μm（截止电流为100nA/μm）。尽管栅极绝缘膜采用的是硅氧化膜，但量产时将采用高介电率（high-k）栅极绝缘膜。

富士通选择只在pMOS采用金属栅极，是由于nMOS采用金属栅极不是个好方法。富士通指出，第一，在nMOS中，栅极空洞化的影响要比pMOS小，采用金属栅极并非必要。第二，在nMOS中，金属栅极舒缓SiN Liner膜造成的变形后，会使驱动力下降。因此，在nMOS中采用金属栅极，只会增加成本，却无法获得性能的提升。